「SINGLE LAYER TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

A second-type single layer package P2, provided with a lead 133 exposed over the lower surface of a molded part 136, is mounted to a first- type single layer package P1 provided with a lead 33 extending to outside a molded part 36.例文帳に追加

成形部３６の外側まで延長されたリード３３を有する第１型単層パッケージＰ１上に、成形部１３６の下面に露出されたリード１３３を有する第２型単層パッケージＰ２を実装する。 - 特許庁

Further, a semiconductor layer 108 of a conductive type reverse to the single conductive type, which forms bonding with single conductive type crystalline semiconductor particles 104, is formed.例文帳に追加

さらに、一導電型の結晶性半導体粒子１０４と接合を形成する一導電型とは逆の導電型の半導体層１０８を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加

単一キャリア走行型半導体受光装置において、ｐ^+型光吸収層とｎ^-型キャリア走行層との界面近傍に、ｎ^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのｐ型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, an n-type epitaxial layer 4 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上にＮ型のエピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 5 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上にＮ型のエピタキシャル層５が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on a P-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

A plurality of n-type first semiconductor regions 9 are formed, by providing a plurality of trenches 13 in an n-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

ｎ型の複数の第１半導体領域９は、ｎ型の単結晶シリコン層に複数のトレンチ１３を設けることにより形成される。 - 特許庁

Because of this, a window part 7 consisting of an n-type single crystal silicon layer is formed in each groove part 3b in almost a rod type.例文帳に追加

このため、各溝部３ｂには、ｎ型単結晶シリコンからなる窓部７が略棒状に形成されている。 - 特許庁

Then, the temperature is heated to 500°C, a gap is formed in the layer of the hydrogen ions, and the single-crystal silicon is separated by the gap, thus forming an N-type single- crystal silicon layer 4 on the electrode layer 3.例文帳に追加

その後、５００℃に加熱して前記水素イオンの層に空隙を形成して前記単結晶シリコンを前記空隙により切り離し、前記電極層(3) 上にＮ型単結晶シリコン層(4) を形成する。 - 特許庁

On a single-crystal substrate 1, a buffer layer 2 and an optical waveguide layer 3 are formed and in the optical waveguide layer 3, a ridge type channel optical waveguide 4 is formed along the length of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

単結晶基板１上にはバッファ層２及び光導波路層３が形成され、光導波路層３には単結晶基板１の長手方向に沿ってリッジ型のチャンネル光導波路４が形成されている。 - 特許庁

The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁

A high concentration n type single-crystal silicon layer 18 from the first principal plane of the semiconductor layer 12 to the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面から半導体基板１１に至る高濃度のｎ型単結晶シリコン層１８を形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is preferably a single layer type one containing the above charge generating agent and hole transport agent in the same layer.例文帳に追加

好ましくは、上記電荷発生剤および正孔輸送剤を同一層内に含む単層型電子写真感光体とする。 - 特許庁

To provide a single-sided recording and reproducing type optical recording medium capable of obtaining proper recording signal properties not only from a first information layer but also from a second information recording layer.例文帳に追加

第２の情報記録層からも良好な記録信号特性が得られる、片面記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁

To improve a fault that a gate forward current cannot be controlled in an MIS type FET formed of a single layer Si_3N_4 insulating layer.例文帳に追加

単一層のＳｉ_３Ｎ_４絶縁層からなるＭＩＳ型ＦＥＴにおけるゲート順方向電流を抑制できないという欠点を改善する。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor in which stability of a coating liquid for forming a photosensitive layer is stable, and also, which has satisfactory electric properties.例文帳に追加

感光層を形成するための塗布液の安定性に優れ、且つ、電気特性の良好な単層型の電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

A buried conductive layer 23 is buried in a silicon oxide layer 11 under a base lead-out layer 21 while surrounded by a base layer 15, an emitter layer 17 and a p^+ type single crystal silicon layer 19.例文帳に追加

埋込導電層２３がベース引出層２１下のシリコン酸化層１１に、ベース層１５、エミッタ層１７及びｐ^＋型単結晶シリコン層１９を囲んで埋め込まれている。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor including an electroconductive supporting body and a single layer type photoreceptor layer is provided with that in the single layer type photoreceptor layer, the aromatic polycarbonate containing a constituting unit (1) derived from a compound having an asymmetric bishydroxyenamine basic backbone expressed by general formula (1) is incorporated.例文帳に追加

導電性支持体と単層型感光層とを含む電子写真感光体において、単層型感光層に、一般式で表される非対称ビスヒドロキシエナミン基本骨格を有する化合物から誘導される構成単位（１）を含む芳香族ポリカーボネートを含有させる。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

A one-conductivity type semiconductor layer 2 and an opposite- conductivity type semiconductor layer 3 are successively formed in each light emitting element on a single crystal substrate 1, an area of the one-conductivity type semiconductor layer 2 is made larger than the area of the opposite- conductivity type semiconductor layer 3 in the stacking, and an extended part 9 is provided.例文帳に追加

単結晶基板1上に、各発光素子ごとに一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３とが順次形成され、その積層において一導電型半導体層２の面積は逆導電型半導体層３の面積に比べて大きくして延在部９を設けている。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１上に、ｎ型ＭｇＺｎＯクラッド層１０３、ノンドープ量子井戸活性層１０５、ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０を順次積層する。 - 特許庁

In the photoreceptor, a laminate type photosensitive layer or a single-layer type photosensitive layer is formed on a conductive support 1, and a charge transport layer 3 or the single-layer type photosensitive layer contains a charge transport material which has a benzofuran in a skeleton, butadiene in a linking group, and arylamine, heteroaryl, benzothiophene, indole, and thiophene in a substituent.例文帳に追加

積層型感光層、または単層型感光層が導電性支持体１上に形成されており、電荷輸送層３または単層型感光層が、骨格にベンソフラン結合基にブタジエン、置換基がアリールアミン、ヘテロアリール、ベンゾチオフェン、インドール、チオフェンを有する電荷輸送物質を有する感光体。 - 特許庁

In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加

ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁

A base body 2 comprises a substrate 11 of p-type single- crystalline silicon wafer and an epitaxial layer 12 of n-type single-crystalline silicon formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

基体２は、ｐ型単結晶シリコンウエハからなる基板１１と、その基板１１の表面に形成されたｎ型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

In an SOI board 4 composed of a p-type silicon board 1, a buried oxide film 2 and a single-crystal silicon layer 3, a source region 10 and a drain region 11 are formed on the single-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。 - 特許庁

The coating material comprises a single layer of at least one type selected from the group consisting of a silicon oxide and a tantalum oxide vapor-deposited as a single layer in a range of a thickness of 0.2 to 3.0 μm on the surface of a transparent resin board.例文帳に追加

透明性樹脂基板の表面にシリコン酸化物およびタンタル酸化物のうちの少くとも１種が膜厚０．２μｍ〜３．０μｍの範囲で単一層として蒸着されているものとする。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

An Al_2O_3 bottom barrier layer 4, an Al rich Al_2+xO_3 charge storage layer 5, and an Al_2O_3 top barrier layer 6, an n-type polysilicon gate 7 are deposited in succession on an upper surface of a p-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶シリコンン基板１の上面にＡｌ_2Ｏ_3のボトム障壁層４、ＡｌリッチのＡｌ_2+xＯ_3の電荷蓄積層５、Ａｌ_2Ｏ_3のトップ障壁層６、ｎ型ポリシリコンゲート７を順次堆積して形成する。 - 特許庁

The light-receiving body 3 is a diffused layer consisting of a p-type single crystal silicon layer, which is used as a second conductivity type semiconductor layer, and is buried in the surface of the base body 2.例文帳に追加

受光体３は、第２導電型半導体としてのｐ型単結晶シリコンからなる拡散層であり、基体２の表面に埋設されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on the light-receiving surface of an n-type single-crystal silicon board 1, and a transparent conductive film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3, thus constituting a photoelectric converter 101.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面上にｉ型非晶質シリコン層２およびｐ型非晶質シリコン層３が形成され、ｐ型非晶質シリコン層３上に透明導電膜４が形成されて、光電変換部１０１が構成される。 - 特許庁

A second impurity semiconductor layer in the conductivity type opposed to that of the first impurity semiconductor layer is formed on the second single crystal semiconductor layer and a second electrode is formed on the second impurity semiconductor layer.例文帳に追加

第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 - 特許庁

In a positively charged single-layer type electrophotographic photoreceptor on which a photosensitive layer is provided in a conductive substrate form, polysiloxane oil is added to the photosensitive layer in the amount of 2-10 mass% of the total mass of the photosensitive layer material.例文帳に追加

導電性基体状に感光層が形成された正帯電単層型電子写真感光体において、感光層にポリシロキサンオイルを感光層の材料の全質量に対して２〜１０質量％となるように配合する。 - 特許庁

This two layer type make-up cosmetic containing the powder is characterized in that the cosmetic is separated into a powder-containing layer and an emulsion layer when left to stand, and turned into an emulsified and dispersed single layer just after shaken.例文帳に追加

粉体を含有する化粧料であって、静置時は粉体を含む層とエマルション層の２層に分かれ、振とう直後は乳化分散された１層になることを特徴とする剤形に、化粧料を設計する。 - 特許庁

Preferred aspects are that the photosensitive layer is of a single layer type or of a stacked-type having at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order, that the amount of antioxidants applied to the cross-linked surface layer is 0.2-10% by mass, etc.例文帳に追加

該感光層が単層型である態様、又は前記感光層が、少なくとも電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する積層型である態様、該酸化防止剤の架橋表面層における添加量が、０．２〜１０質量％である態様、等が好ましい。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

The heat-sensitive recording layer is obtained by laminating a high-temperature color developing layer and a low-temperature color developing layer or of a single layer type obtained by coating at least one type of two or more types of electron donative dye precursors, with a color developing adjusting layer obtained by addition polymerizing a vinyl monomer.例文帳に追加

多色感熱記録層は、高温発色層と低温発色層を積層したもの、二種以上の電子供与性染料前駆体のうち、少なくとも一種が、ビニル単量体を付加重合することにより得られる発色調節層で被覆されてなる単層タイプであることを特徴とする。 - 特許庁

To form a semiconductor element having good ohmic electrode on a p type ZnO single crystal layer.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ系単結晶層に対して良好なオーミック電極を有する半導体素子を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an epitaxial layer 7 is formed on a P type single-crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にエピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁