Si 204とは 意味・読み方・使い方

The near field optical head has a mirror substrate 201 consisting of Si and the mirror substrate 201 has a mirror surface 204 formed by crystal anisotropic etching.例文帳に追加

近視野光ヘッドは、Ｓｉから成るミラー基板２０１を持ち、ミラー基板２０１は結晶異方性エッチングによって形成されるミラー面２０４を持つ。 - 特許庁

Barrier layers 201a-201c are provided with a well adjacent layer 203y which is a GaN layer 203y doped with an n-type impurity such as Si being in contact with a well layer 202, and an intermediate layer 204 which is an undoped GaN layer not doped with the n-type impurity disposed between the well adjacent layer 203y.例文帳に追加

障壁層２０１ａ〜２０１ｃが、井戸層２０２と接するＳｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ層である井戸近接層２０３ｙと、井戸近接層２０３ｙの間にｎ型不純物のドープされていないアンドープのＧａＮ層である中間層２０４とを備える。 - 特許庁

This film forming method comprises a process in which a compound with a siloxane bond and an Si-R bond (R is alkyl group) and a reactive gas containing an oxidizing gas and H2 are turned to plasma and made to react on each other, and a silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103.例文帳に追加

シロキサン結合とＳｉ−Ｒ結合（Ｒはアルキル基）とを有する化合物と、酸化性ガスと、Ｈ_2 とを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

This silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 through causing a reaction by ionizing a reaction gas, containing an Si(OR)nHm compound (where R is a alkyl group and n+m=4), an SiFp(OR)q compound (where R is an alkyl group and p+q=4), and an oxidizing gas into a plasma with a microwave.例文帳に追加

Ｓｉ（ＯＲ）_n Ｈ_m 化合物（但し、Ｒはアルキル基であり、ｎ＋ｍ＝４）と、ＳｉＦ_p （ＯＲ）_q 化合物（但し、Ｒはアルキル基であり、ｐ＋ｑ＝４）と、酸化性ガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁