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Si 201とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ジーベル Si 201 （Siebel Si 201）は、ジーベル社で設計、製造された観測、陸軍直協の偵察機である。
「Si 201」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
An element ion larger than Si is implanted to a contact liner 513 in an N-channel region 201 to break the connection of constituent atoms.例文帳に追加
Ｎチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断する。 - 特許庁
The TFT substrate 201 also has a TFT5 for pixel comprising the a-Si operating semiconductor layer 55.例文帳に追加
また、ＴＦＴ基板２０１は、ａ−Ｓｉの動作半導体層５５を備えた画素用ＴＦＴ５を有している。 - 特許庁
The near field optical head has a mirror substrate 201 consisting of Si and the mirror substrate 201 has a mirror surface 204 formed by crystal anisotropic etching.例文帳に追加
近視野光ヘッドは、Ｓｉから成るミラー基板２０１を持ち、ミラー基板２０１は結晶異方性エッチングによって形成されるミラー面２０４を持つ。 - 特許庁
A water-repellent chemisorb monomolecular film 207 on which an elliptical hole P is formed is formed on a Si substrate 201 on which a SiO_2 layer 202 is formed.例文帳に追加
ＳｉＯ_２層２０２が形成されたＳｉ基板２０１上に、楕円形状の穴Ｐが形成された撥水性の化学吸着単分子膜２０７を形成する。 - 特許庁
The thin film transistor (TFT) substrate 201 has two types of TFT1, TFT3 comprising operating semiconductor layers 23, 37 of the p-Si lateral crystallized by a continuous oscillation solid-state laser.例文帳に追加
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板２０１は、連続発振固体レーザによりラテラル結晶化されたｐ−Ｓｉの動作半導体層２３、３７を備えた２種類の周辺回路用ＴＦＴ１、３を有している。 - 特許庁
First, an oscillating part 201 is formed by forming an electrode 102, which includes an electret material on one main surface of an Si substrate 101 with which SiO_2 created at the surface (S101).例文帳に追加
まず、表面にＳｉＯ_２を形成したＳｉ基板１０１の一主面にエレクトレット材料を含む電極１０２を形成することで振動部２０１を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁
In the automatic equalizer, a pre-processing section 100 is placed between a filter 201 for eliminating an undesired signal component from an input reception signal Si and a reception signal estimate section 301.例文帳に追加
入力受信信号Ｓi から不要信号成分を除去するフィルタ２０１と受信信号推定部３０１との間には、前処理部１００が設けられる。 - 特許庁
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「Si 201」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
Single-mode optical fiber parts 14, 24 and core-enlargement optical fiber parts 13, 23 which constitute optical fibers 201, 202 are each SI-type optical fibers each consisting of a core and a clad.例文帳に追加
光ファイバ２０１，２０２のシングルモード光ファイバ部１４，２４およびコア拡大光ファイバ部１３，２３は、それぞれコアとクラッドからなるＳＩ型の光ファイバである。 - 特許庁
The TFT substrate 201 is further formed in the identical layer as the operating semiconductor layer 23, 37, and has the a-Si film 51 for shielding for shielding the light which enters into the TFT5 for pixel.例文帳に追加
さらにＴＦＴ基板２０１は、動作半導体層２３、３７と同一層に形成され、画素用ＴＦＴ５に入射する光を遮光する遮光用ａ−Ｓｉ膜５１を有している。 - 特許庁
In a manufacturing method for the SOI high-voltage transistor 200, a control channel region 208 and an auxiliary channel region 210 adjacent to the control channel region 208 are formed in an Si upper layer 206 of an SOI substrate 201, and a control gate 220 is formed on the control channel region 208 and an auxiliary gate 222 on the auxiliary channel region 210.例文帳に追加
本発明に係るＳＯＩ高電圧トランジスタ２００の製造方法においては、ＳＯＩ基板２０１のＳｉ上部層２０６に、制御チャネル領域２０８及びこれに近接する補助チャネル領域２１０を形成し、制御チャネル領域２０８上に制御ゲート２２０と、補助チャネル領域２１０上に補助ゲート２２２とを形成する。 - 特許庁
The control means 121 supplies the Si-based gas to the wafer 200 in the treatment chamber 201 to cause the wafer to absorb a first material, and supplies the oxidized gas to generate an O radical and an OH radical so that the radicals may perform an oxidation reaction on the surface of the wafer having absorbed the first material, thereby forming an oxidized film on the wafer 200.例文帳に追加
制御手段１２１により、処理室２０１内のウェハ２００に対してＳｉ系ガスを供給して第１の原料をウェハ上に吸着させ、酸化性ガスを供給してＯラジカルとＯＨラジカルを発生させ、これらのラジカルにより、第１の原料が吸着したウェハ表面で酸化反応を行わせ、ウェハ２００上に酸化膜を形成するようにする。 - 特許庁
1
Siebel Si 201
英和対訳
2
si:ch211-175l6.3
遺伝子名称
3
si:ch211-201b11.3
遺伝子名称
4
si:ch211-201b11.4
遺伝子名称
5
si:ch211-205a14.8
遺伝子名称
6
si:ch211-256l9.1
遺伝子名称
7
si:dkey-121j17.3
遺伝子名称
8
si:dkey-127j5.1
遺伝子名称
9
si:dkey-201c13.2
遺伝子名称
10
si:dkey-201c13.3
遺伝子名称
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