Si 201とは 意味・読み方・使い方

An element ion larger than Si is implanted to a contact liner 513 in an N-channel region 201 to break the connection of constituent atoms.例文帳に追加

Ｎチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断する。 - 特許庁

The TFT substrate 201 also has a TFT5 for pixel comprising the a-Si operating semiconductor layer 55.例文帳に追加

また、ＴＦＴ基板２０１は、ａ−Ｓｉの動作半導体層５５を備えた画素用ＴＦＴ５を有している。 - 特許庁

The near field optical head has a mirror substrate 201 consisting of Si and the mirror substrate 201 has a mirror surface 204 formed by crystal anisotropic etching.例文帳に追加

近視野光ヘッドは、Ｓｉから成るミラー基板２０１を持ち、ミラー基板２０１は結晶異方性エッチングによって形成されるミラー面２０４を持つ。 - 特許庁

A water-repellent chemisorb monomolecular film 207 on which an elliptical hole P is formed is formed on a Si substrate 201 on which a SiO_2 layer 202 is formed.例文帳に追加

ＳｉＯ_２層２０２が形成されたＳｉ基板２０１上に、楕円形状の穴Ｐが形成された撥水性の化学吸着単分子膜２０７を形成する。 - 特許庁

The thin film transistor (TFT) substrate 201 has two types of TFT1, TFT3 comprising operating semiconductor layers 23, 37 of the p-Si lateral crystallized by a continuous oscillation solid-state laser.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板２０１は、連続発振固体レーザによりラテラル結晶化されたｐ−Ｓｉの動作半導体層２３、３７を備えた２種類の周辺回路用ＴＦＴ１、３を有している。 - 特許庁

First, an oscillating part 201 is formed by forming an electrode 102, which includes an electret material on one main surface of an Si substrate 101 with which SiO_2 created at the surface (S101).例文帳に追加

まず、表面にＳｉＯ_２を形成したＳｉ基板１０１の一主面にエレクトレット材料を含む電極１０２を形成することで振動部２０１を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

In the automatic equalizer, a pre-processing section 100 is placed between a filter 201 for eliminating an undesired signal component from an input reception signal Si and a reception signal estimate section 301.例文帳に追加

入力受信信号Ｓi から不要信号成分を除去するフィルタ２０１と受信信号推定部３０１との間には、前処理部１００が設けられる。 - 特許庁