si-3とは 意味・読み方・使い方

The Si single crystal 1 is curved and the position of the probe 6 is displaced by the bimetal operation between the PZT thin film 3 and the Si single crystal 1.例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜３とSi単結晶１とのバイメタル作用により、Si単結晶１が湾曲して探針６の位置が変位する。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３上にＳｉ層５を形成する。 - 特許庁

The coating layer consists of a material containing Si and has a thickness of 3 to 100 μm.例文帳に追加

この被覆層は、Siを含有する材料で構成され、厚さが3〜100μｍである。 - 特許庁

Alternatively, the content of Si is controlled to ≤3%, and Al to 0.2 to 1.9% in the same chemical components.例文帳に追加

また、この発明の化学成分の内SiとAlをSi：3%以下、Al：0.2〜1.9%としたことを特徴とする高周波特性に優れた無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

Si (silicon) may be contained in the ionization layer 3.例文帳に追加

イオン化層３にはＳｉ（シリコン）を含めてもよい。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁