Ｓｉ薄膜層３の側面に形成したサイドウォール８００と上端部に形成したサイドウォール７００をマスクとしてチャネルドープおよびゲート酸化膜１０の形成を行うことにより、Ｓｉ薄膜の変形やチャネルドープイオンの流出を防ぎ、Ｓｉ薄膜や酸化膜の正確な形成を容易にし、安定した特性のＳＯＩトランジスタを提供することができる。 - 特許庁

Each of the modes are preferred to have a bending strength measured by the bending strength test method (JIS1601) is 700 MPa or higher, element composition ratio for all the parts is Si/C=0.48/0.52 to 0.52/0.48, and the density is 2.9 g/cm^3 or higher.例文帳に追加

前記曲げ強さ試験法（ＪＩＳ１６０１）により測定した曲げ強度が７００ＭＰａ以上、前記全部分における元素組成比がＳｉ／Ｃ＝０．４８／０．５２〜０．５２／０．４８、前記密度が２．９ｇ／ｃｍ^３以上である各態様などが好ましい - 特許庁

To provide a sheet material of a Cu-Ni-Si copper alloy, which has little anisotropy and excellent bendability while keeping such a high strength as a tensile strength of 700 MPa or more, and also has excellent stress relaxation resistance, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

引張強さ７００ＭＰａ以上の高強度を保持しつつ、異方性が少なく且つ優れた曲げ加工性を有するとともに、優れた耐応力緩和特性を有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

External electrode (external electrode) paste composed of Cu powder, B-Si-Zn glass frit, and an organic vehicle is applied on an end face of a ceramic sintering body having an Ni internal electrode, and the paste is baked at thresholds of 400 °C and 700 °C in a continuous kiln having an area composed of three atmospheres.例文帳に追加

Ｃｕ粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系のガラスフリット、および有機ビヒクルからなる外部電極（外部電極）ペーストを、Ｎｉ内部電極を備えるセラミック焼結体の端面に塗布し、これを、４００℃、７００℃のしきい値により、三つの雰囲気からなる領域を持つ連続炉にて焼き付ける。 - 特許庁

This method for manufacturing the cold-rolled steel sheet comprises sequentially a hot-rolling step of hot-rolling a steel raw material containing 0.05-0.40%例文帳に追加

Ｃ：0.05〜0.40％を含有し、Si、Mn、Ｐ、Al量を調整した鋼素材に、熱間圧延を施したのち、冷却速度：30℃/s以上で500 ℃以下まで冷却し巻取る熱延工程と、550 〜700 ℃で保持する再加熱工程を施し球状セメンタイトを微細分散させ、ついで、冷延工程と、Ａc_1変態点以上850 ℃以下の温度に保持する加熱処理を施したのち、10℃/s以上の冷却速度で350 〜500 ℃に冷却し、該温度域に10〜600s保持した後室温まで冷却する連続焼鈍工程と、を順次施す。 - 特許庁

Then an organic silicon compound gas including an Si-C combination in molecules is directly supplied to near a surface of a silicon thermal oxide film substrate which is heated up to 700 to 800 °C to decompose by the hydrogen radical, by which crystal growth of the cubic silicon carbide film with orientation (100) on the surface of a silicon thermal oxide film is obtained.例文帳に追加

水素ガスを熱分解させるホットワイア触媒体を１４００〜１８００℃に加熱して水素ガスを熱分解させて水素ラジカルを生成させるとともに、分子内にＳｉ−Ｃ結合を有する有機珪素化合物ガスを７００〜８００℃に加熱したシリコン熱酸化膜基板の表面近傍に直接供給して該水素ラジカルで分解することによってシリコン熱酸化膜表面に（100）配向の立方晶炭化珪素膜を結晶成長させることを特徴とする(100)配向した立方晶炭化珪素結晶膜の作製方法。 - 特許庁

例文

In this method for producing a metal-ceramics composite material, a preform is formed by ceramics powder as a reinforcing material, and molten metal is permeated into the preform, the ceramics powder contains Si powder, and the preform formed by the ceramics powder is permeated with an aluminum alloy melted at ≥700 °C in a nitrogen atmosphere by a non-pressure permeation method.例文帳に追加

強化材であるセラミックス粉末でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融した金属を浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、該セラミックス粉末が、Ｓｉ粉末を含むセラミックス粉末であり、そのセラミックス粉末で形成したプリフォームに窒素雰囲気中で７００℃以上の温度でアルミニウム合金を溶融して非加圧浸透法で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。 - 特許庁

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