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si-700とは 意味・読み方・使い方
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Weblio例文辞書での「si-700」に類似した例文 |
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si-700
700,315
=600.
1100.
one thousand (and) one hundred
She has a complement of 700.
996
3000.
1/7000ポンド
1/7000 pound
=200.
=7.
VIJ [vij]
the seventieth
480
=210.
two hundred (and) ten
=400.
This hotel can accommodate 700 guests.
This was 70,000 yen.
「si-700」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
After oxidization, the atmosphere in the furnace 14 is changed to an inert gas atmosphere and the wafers 2 are cooled to about 700°C.例文帳に追加
酸化処理の後に反応炉14の雰囲気を不活性ガスに置換してSiウェハを700℃程度まで冷却する。 - 特許庁
GaN:Zn and Si formed on the surface of ZnO particles are annealed in a nitrogen gas at 700°C to give the objective phosphor.例文帳に追加
ZnOの粒子の表面に形成されたGaN:Zn,Siを窒素中にて700℃でアニールし、蛍光体を得た。 - 特許庁
After an LTO film is deposited on the surface of a surface channel layer 5 terminated with Si, heat treatment is performed at 700°C-900°C in order to oxidize only Si terminating on the surface of the surface channel layer 5.例文帳に追加
Si終端とした表面チャネル層5の表面にLTO膜をデポジションしたのち、700℃以上かつ900℃以下での熱処理を行うことで表面チャネル層5の表面で終端しているSiのみを酸化させる。 - 特許庁
Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加
SiGeエピタキシャル膜11中にはSi基板10との界面から高密度の欠陥が導入されるが、700乃至1200℃の熱処理を施して貫通転位12をSi基板界面近傍のループ転位状欠陥12´に変化させる。 - 特許庁
The method for producing the silicon film is a method of vapor-depositing the silicon film on a substrate by using a vapor-deposition source formed of Si or the Si compound, and includes controlling a temperature of the vapor-deposition source to 1,700 K or higher, and controlling a temperature of the substrate so as to be lower than the temperature of the vapor-deposition source by 700 K or more.例文帳に追加
SiまたはSi化合物からなる蒸着源を用いてシリコン膜を基板に蒸着するシリコン膜の製造方法であって、蒸着源の温度を1700K以上とし、基板温度を蒸着源の温度より700K以上低くすることを特徴とするシリコン膜の製造方法。 - 特許庁
To obtain a Corson (Cu-Ni-Si based) copper alloy sheet having ≥700 N/mm^2 proof stress, ≥35% IACS electric conductivity and excellent bendability.例文帳に追加
耐力が700N/mm^2以上、導電率が35%IACS以上、かつ曲げ加工性にも優れたコルソン(Cu−Ni−Si系)銅合金板を得る。 - 特許庁
The porous ceramic material consists essentially of Si and C, and has small hydrogen/nitrogen separation factor of at least 4, particularly at least 10 even at a high temperature of 700°C and at least 100 m^2/g, particularly 150 m^2/g surface area.例文帳に追加
多孔質セラミック材は、Si及びCを主体とし、700℃という高温であっても、水素/窒素分離係数が少なくとも4、特に少なくとも10であり、表面積が少なくとも100m^2/g、特に150m^2/gである。 - 特許庁
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「si-700」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
By forming a channel dope or gate oxide film 10 with a sidewall formed on the lateral side of an Si thin film layer 3 and a sidewall 700 formed at its upper end as a mask, deformation of the Si thin film and flow out of channel dope ion are prevented to facilitate accurate forming of the Si thin film and the oxide film to provide the SOI transistor of stable characteristic.例文帳に追加
Si薄膜層3の側面に形成したサイドウォール800と上端部に形成したサイドウォール700をマスクとしてチャネルドープおよびゲート酸化膜10の形成を行うことにより、Si薄膜の変形やチャネルドープイオンの流出を防ぎ、Si薄膜や酸化膜の正確な形成を容易にし、安定した特性のSOIトランジスタを提供することができる。 - 特許庁
Each of the modes are preferred to have a bending strength measured by the bending strength test method (JIS1601) is 700 MPa or higher, element composition ratio for all the parts is Si/C=0.48/0.52 to 0.52/0.48, and the density is 2.9 g/cm^3 or higher.例文帳に追加
前記曲げ強さ試験法(JIS 1601)により測定した曲げ強度が700MPa以上、前記全部分における元素組成比がSi/C=0.48/0.52〜0.52/0.48、前記密度が2.9g/cm^3以上である各態様などが好ましい - 特許庁
To provide a sheet material of a Cu-Ni-Si copper alloy, which has little anisotropy and excellent bendability while keeping such a high strength as a tensile strength of 700 MPa or more, and also has excellent stress relaxation resistance, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
引張強さ700MPa以上の高強度を保持しつつ、異方性が少なく且つ優れた曲げ加工性を有するとともに、優れた耐応力緩和特性を有するCu−Ni−Si系銅合金板材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
External electrode (external electrode) paste composed of Cu powder, B-Si-Zn glass frit, and an organic vehicle is applied on an end face of a ceramic sintering body having an Ni internal electrode, and the paste is baked at thresholds of 400°C and 700°C in a continuous kiln having an area composed of three atmospheres.例文帳に追加
Cu粉末、B−Si−Zn系のガラスフリット、および有機ビヒクルからなる外部電極(外部電極)ペーストを、Ni内部電極を備えるセラミック焼結体の端面に塗布し、これを、400℃、700℃のしきい値により、三つの雰囲気からなる領域を持つ連続炉にて焼き付ける。 - 特許庁
This method for manufacturing the cold-rolled steel sheet comprises sequentially a hot-rolling step of hot-rolling a steel raw material containing 0.05-0.40%例文帳に追加
C:0.05〜0.40%を含有し、Si、Mn、P、Al量を調整した鋼素材に、熱間圧延を施したのち、冷却速度:30℃/s以上で500 ℃以下まで冷却し巻取る熱延工程と、550 〜700 ℃で保持する再加熱工程を施し球状セメンタイトを微細分散させ、ついで、冷延工程と、Ac_1変態点以上850 ℃以下の温度に保持する加熱処理を施したのち、10℃/s以上の冷却速度で350 〜500 ℃に冷却し、該温度域に10〜600s保持した後室温まで冷却する連続焼鈍工程と、を順次施す。 - 特許庁
Then an organic silicon compound gas including an Si-C combination in molecules is directly supplied to near a surface of a silicon thermal oxide film substrate which is heated up to 700 to 800°C to decompose by the hydrogen radical, by which crystal growth of the cubic silicon carbide film with orientation (100) on the surface of a silicon thermal oxide film is obtained.例文帳に追加
水素ガスを熱分解させるホットワイア触媒体を1400〜1800℃に加熱して水素ガスを熱分解させて水素ラジカルを生成させるとともに、分子内にSi−C結合を有する有機珪素化合物ガスを700〜800℃に加熱したシリコン熱酸化膜基板の表面近傍に直接供給して該水素ラジカルで分解することによってシリコン熱酸化膜表面に(100)配向の立方晶炭化珪素膜を結晶成長させることを特徴とする(100)配向した立方晶炭化珪素結晶膜の作製方法。 - 特許庁
In this method for producing a metal-ceramics composite material, a preform is formed by ceramics powder as a reinforcing material, and molten metal is permeated into the preform, the ceramics powder contains Si powder, and the preform formed by the ceramics powder is permeated with an aluminum alloy melted at ≥700°C in a nitrogen atmosphere by a non-pressure permeation method.例文帳に追加
強化材であるセラミックス粉末でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融した金属を浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、該セラミックス粉末が、Si粉末を含むセラミックス粉末であり、そのセラミックス粉末で形成したプリフォームに窒素雰囲気中で700℃以上の温度でアルミニウム合金を溶融して非加圧浸透法で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。 - 特許庁
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