Si quantum dotとは 意味・読み方・使い方

A first quantum dot 1 made of Si and a second quantum dot made of Si are connected to each other with a quantum fine wire 3 made of Si, to realize quantum coupling between the first quantum dot 1 and the second quantum dot 2.例文帳に追加

Ｓｉの第１量子ドット１とＳｉの第２量子ドット２とをＳｉの量子細線３で接続して、第１量子ドット１と第２量子ドット２の量子結合を可能にしている。 - 特許庁

The quantum ring 1 is composed of a ring-shaped Si or Si_1-xGe_x film, and the quantum dot 3 is composed of a dotted Si or Si_1-xGe_x film.例文帳に追加

量子リング１は、例えばリング状のＳｉ又はＳｉ_1-xＧｅ_x膜から構成され、量子ドット３は、例えば点状のＳｉ又はＳｉ_1-xＧｅ_x膜から構成される。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity.例文帳に追加

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。 - 特許庁

In this case, the fine particles 2 are formed of semiconductor material such as Si and the like, and by using a semiconductor layer 3 for a material around the fine particle they can be utilized as a quantum-dot structure.例文帳に追加

この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁