シリコン量子ドットの英語

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。例文帳に追加

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si. - 特許庁

ナノサイズの微細で均一な特性を有するシリコン量子ドットを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon quantum dot having a nanosize minute, uniform characteristic. - 特許庁

コア／シェル型シリコン量子ドット及びそれを用いた生体物質標識剤例文帳に追加

CORE/SHELL SILICON QUANTUM DOT AND BIOSUBSTANCE LABELING AGENT USING THE SAME - 特許庁

シリコン量子ドットの形成方法及びこれを利用した半導体メモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

無毒性のシリコン量子ドット及びそれを用いた生体物質標識剤を提供する。例文帳に追加

To provide nontoxic silicon quantum dots and a biomaterial labeling agent using the same. - 特許庁

ナノ結晶シリコン量子ドットメモリ装置と関連する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nanocrystalline silicon quantum dot memory device and a related manufacturing method. - 特許庁

シリコン量子ドットの熱水処理により遊離するフッ化物イオン濃度が、ランタン−アリザリンコンプレキソン吸光光度法により１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするシリコン量子ドット。例文帳に追加

The silicon quantum dots are characterized in that the concentration of fluoride ions liberated by a hydrothermal treatment of the silicon quantum dots is ≤100 ppm as measured by a lanthanum-alizarin complexon absorptiometric method. - 特許庁

発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。例文帳に追加

A light-emitting element 10 comprises a semiconductor substrate 1, silicon quantum dots 2 to 4, an insulating film 5, and an electrode 6. - 特許庁