Silicon On Sapphireとは 意味・読み方・使い方

In the Silicon On Sapphire (SOS) substrate where a single-crystal silicon thin film is stacked on a sapphire substrate, a stress of a silicon film on the SOS substrate measured by a Raman shift method is ≤2.5×10^8 Pa in an entire area of a plane.例文帳に追加

サファイア基板上に単結晶シリコン薄膜が積層されたＳｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ（ＳＯＳ）基板であって、ラマンシフト法により測定した、前記ＳＯＳ基板のシリコン膜の応力が面内全域で２．５ｘ１０^８Ｐａ以下であるＳＯＳ基板である。 - 特許庁

GAN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF USING GAN ON SAPPHIRE THIN LAYER ON POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ半導体装置および多結晶炭化ケイ素基板上のサファイア薄層上のＧａＮを用いる方法 - 特許庁

An HEMT 100 is made by epitaxially growing it on a sapphire substrate, adhering it to a silicon substrate and removing the sapphire substrate by the laser lift-off method.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１００は、サファイア基板にエピタキシャル成長させた後、シリコン基板を貼り付けてレーザーリフトオフ法でサファイア基板を除去すると得られる。 - 特許庁

The buffer layer contains Ga_x1Al_1-x1 N (0.1≤x1<0.5) formed on a sapphire or silicon substrate.例文帳に追加

バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。 - 特許庁

A multilayer resist consisting of a lower photoresist layer, a nitride silicon layer and an upper photoresist layer, is formed on the surface of a sapphire substrate in a first step.例文帳に追加

第１ステップにて、下フォトレジスト層、窒化シリコン層、上フォトレジスト層からなる多層レジストをサファイア基板表面に形成する。 - 特許庁

More specifically, a nitride semiconductor is grown on one major surface of a composite substrate, where silicon is stuck to the opposite major surfaces of a sapphire substrate.例文帳に追加

具体的には、サファイア基板の両主面にシリコンを貼り合わせた複合基板の１主面上に窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

First, a supporting substrate 12 formed of sapphire or silicon carbide is prepared and a buffer layer 14 is deposited on the supporting substrate.例文帳に追加

先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板１２を用意して、支持基板上にバッファ層１４を堆積させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sapphire junction structure for preventing contamination on silicon wafers in a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

半導体製造装置におけるシリコン・ウエハの汚染防止のためのサファイア結合構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁