「Silicon On Sapphire」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A silicon oxide film 3 is formed between a sapphire substrate 1 on a PMOS 5 side and an impurity diffused layer (mono-crystal silicon film) 41.例文帳に追加

ＰＭＯＳ５側のサファイア基板１と不純物拡散層（単結晶シリコン膜）４１との間に、シリコン酸化膜３を設ける。 - 特許庁

To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate reduced in surface defect density by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.例文帳に追加

シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し欠陥密度が小さいＳＯＳ基板を提供する。 - 特許庁

In the Silicon On Sapphire (SOS) substrate where a single-crystal silicon thin film is stacked on a sapphire substrate, a stress of a silicon film on the SOS substrate measured by a Raman shift method is ≤2.5×10^8 Pa in an entire area of a plane.例文帳に追加

サファイア基板上に単結晶シリコン薄膜が積層されたＳｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ（ＳＯＳ）基板であって、ラマンシフト法により測定した、前記ＳＯＳ基板のシリコン膜の応力が面内全域で２．５ｘ１０^８Ｐａ以下であるＳＯＳ基板である。 - 特許庁

GAN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF USING GAN ON SAPPHIRE THIN LAYER ON POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ半導体装置および多結晶炭化ケイ素基板上のサファイア薄層上のＧａＮを用いる方法 - 特許庁

An HEMT 100 is made by epitaxially growing it on a sapphire substrate, adhering it to a silicon substrate and removing the sapphire substrate by the laser lift-off method.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１００は、サファイア基板にエピタキシャル成長させた後、シリコン基板を貼り付けてレーザーリフトオフ法でサファイア基板を除去すると得られる。 - 特許庁

The buffer layer contains Ga_x1Al_1-x1 N (0.1≤x1<0.5) formed on a sapphire or silicon substrate.例文帳に追加

バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。 - 特許庁

A multilayer resist consisting of a lower photoresist layer, a nitride silicon layer and an upper photoresist layer, is formed on the surface of a sapphire substrate in a first step.例文帳に追加

第１ステップにて、下フォトレジスト層、窒化シリコン層、上フォトレジスト層からなる多層レジストをサファイア基板表面に形成する。 - 特許庁

More specifically, a nitride semiconductor is grown on one major surface of a composite substrate, where silicon is stuck to the opposite major surfaces of a sapphire substrate.例文帳に追加

具体的には、サファイア基板の両主面にシリコンを貼り合わせた複合基板の１主面上に窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

First, a supporting substrate 12 formed of sapphire or silicon carbide is prepared and a buffer layer 14 is deposited on the supporting substrate.例文帳に追加

先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板１２を用意して、支持基板上にバッファ層１４を堆積させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sapphire junction structure for preventing contamination on silicon wafers in a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

半導体製造装置におけるシリコン・ウエハの汚染防止のためのサファイア結合構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon.例文帳に追加

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck for attracting and firmly holding insulating objects, such as liquid glass, SOS (silicon on sapphire), or SOI (silicon on insulator).例文帳に追加

液晶ガラス、ＳＯＳ（シリコンオンサファイア）、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）等の絶縁性をもつ被吸着物を高い吸着力で保持できる静電チャックを提供する。 - 特許庁

A sapphire film 50 is provided on a glass substrate 1, a single crystal silicon layer 7 is subjected to epitaxial growth from a silicon/indium fluxing liquid layer 6 on the sapphire film, specific treatment is made to the single crystal silicon layer, and a semiconductor device for IPIC where intellectual property function blocks or elements are isolated is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上にサファィア膜５０を設け、この上にシリコン・インジウム溶融液層６から単結晶シリコン層７をエピタキシャル成長させた後、この単結晶シリコン層に所定の処理を施し、知的資産機能ブロック又は素子間を分離したＩＰＩＣ用の半導体装置を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of depositing a sapphire film 120 on a glass substrate 100, a step of depositing an amorphous silicon film 130 on the sapphire film 120 and a step of irradiating the silicon film 130 with an energy beam to grow this film 130 in a liquid phase to form a single-crystal silicon film 140.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はガラス基板100上にサファイア膜120を堆積する工程と、このサファイア膜120上に非晶質シリコン膜130を堆積する工程と、この非晶質シリコン膜130に対してエネルギー線を照射し、非晶質シリコン膜130を液相成長させて単結晶シリコン膜140とする工程とを備える。 - 特許庁

An element region part 13 composed of a silicon layer and forming a semiconductor element is provided independently on an insulating substance 11 composed of a silicon oxide film, a sapphire substrate or the like.例文帳に追加

酸化シリコン膜やサファイア基板などからなる絶縁物１１上に、シリコン層からなり半導体素子が形成される素子領域部１３が独立して設けられている。 - 特許庁

An electrical wave introduction window 13 of a cooling container 11 comprises a cooling window material 14 in which a monocrystal sapphire substrate is used as a base material, a cut face is formed as a C plane, and a thick anti-reflection film of silicon oxide (SiOx) is formed on a surface of the sapphire substrate.例文帳に追加

単結晶サファイア基板を母材とし、カット面をＣ面として形成すると共に、酸化珪素（ＳｉＯｘ）の厚膜反射防止膜を前記サファイア基板の表面に形成した冷却用窓材１４を冷却容器１１の電波導入窓１３に備え付けた。 - 特許庁

A readout IC (ROIC) and an ultraviolet or blue light-receiving element are formed on silicon sapphire (SOS), a red and infrared light-receiving element is formed on a compound semiconductor substrate, and electrodes of the both are stuck together.例文帳に追加

シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。 - 特許庁

To improve the characteristic of a manufactured semiconductor device, by improving the quality of a silicon epitaxial layer formed on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上に形成されるシリコンエピタキシャル層の品質向上を図ることにより、製造される半導体デバイスの特性を向上させること。 - 特許庁

To prevent formation of a crystal defect when a single crystal layer such as a single crystal silicon layer is directly formed on a support substrate of single crystal, such as a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板等の単結晶の支持基板に、直接単結晶シリコン層等の単結晶層を形成するときに、結晶欠陥の形成を防止する。 - 特許庁

A silicon semiconductor thin film 2 with a thickness of 3,000 Åis formed on the surface of a sapphire transparent insulating board 1 by epitaxial growth.例文帳に追加

サファイア基板１の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化することにより、シリコン薄膜２上にシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

Single crystal silicon 10 is deposited on a sapphire substrate 10 and Si3N4 is deposited in an active region and then they are oxidized to fom an oxide film 30 at an isolation region.例文帳に追加

サファイア基板１０上に単結晶シリコン１０を形成させると共に、アクティブ領域にＳｉ_3 Ｎ_4 を形成して酸化処理を行うと、素子分離部に酸化膜３０が形成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 6 is formed on one side of a sapphire substrate 2 having a through-hole 5 formed at a position matching to each terminal part of the passage 3 of the substrate 1.例文帳に追加

また、基板１の流路３の各終端部に整合する位置に夫々貫通孔５が形成されたサファイヤ基板２の一方の面上にシリコン酸化膜６を形成する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a buffer layer 12 of film thickness of about 25 nm comprising nitride aluminum(AlN) is provided, over which a high carrier concentration n+ layer 13 of film thickness of about 4.0 μm comprising silicon(Si) doped GaN is formed.例文帳に追加

サファイア基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ^+ 層１３が形成されている。 - 特許庁

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.例文帳に追加

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes, a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, an aluminum nitride film 30 formed on the main surface 11 of the sapphire substrate 10, comb-like electrodes 21, 22 formed on the surface of the aluminum nitride film 30, and a silicon dioxide film 40 for covering the surfaces of the comb-like electrodes 21, 22 and the aluminum nitride film 30.例文帳に追加

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, comb-like electrodes 21, 22 formed in contact with the main surface 11 of the sapphire substrate 10, an aluminum nitride film 30 for covering the comb-like electrodes 21, 22, and a silicon dioxide film 40 formed on the surface of the aluminum nitride film 30.例文帳に追加

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。 - 特許庁

An InN layer 2 is formed on an underlayer 1 made of Al_0.1Ga_0.9N on a sapphire substrate (not shown) via a buffer layer (not shown) made of GaN, and a silicon nitride (SiN_x) layer 3 is formed on the InN layer 2.例文帳に追加

サファイア基板（図示せず）の上にＧａＮよりなるバッファ層（図示せず）を介してＡｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎよりなる下地層１の上にＩｎＮ層２を形成し、当該ＩｎＮ層２の上に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）層３が形成されたものである。 - 特許庁

In this filter configuration to be assembled on the front face of the element which detects the infrared ray, the silicon filter and the band pass filter are arranged in this order with sapphire arranged outside so that the strength of the window part can be made excellent, and that the band pass filter can be made compact, and that costs can be reduced.例文帳に追加

赤外線を検出する素子の前面に組合されるフィルタ構成につき、サファイアを外側として、シリコンフィルタ、バンドパスフィルタの順にしたので、窓部の強度に優れるとともに、バンドパスフィルタを小型にしてコストを低減することができる。 - 特許庁

In a flame sensor equipped with an element which detects an infrared ray to be generated from flame due to fire in a main body, a band pass filter, a silicon filter and a sapphire glass are arranged in this order on the front face of the element so that the window part of the main body can be configured.例文帳に追加

火災による炎から発生する赤外線を検出する素子を本体内に備える炎感知器において、該素子の前面に、バンドパスフィルタ、シリコンフィルタ、サファイアガラスの順に配置して前記本体の窓部を構成している。 - 特許庁

The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660.例文帳に追加

光電子集積回路６００は、ＳＯＳ基板６１０のサファイア基板６１１を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜６１１をコアとした光導波路と、該シリコン膜６１１に形成された電子集積回路６４０と、光ファイバ６７０，６８０を固定する溝６２１，６２２とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ６５０およびレーザダイオードアレイ６６０がハイブリッドに搭載される。 - 特許庁

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD.例文帳に追加

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a substrate 110 formed of sapphire; a plurality of projections 115 formed of silicon nitride and each formed on the substrate 110 in an island-like shape; an intermediate layer 120 laminated on the substrate 110 and the plurality of projections 115; a base layer 130; an n-type semiconductor layer 140; a luminescent layer 150; and a p-type semiconductor layer 160.例文帳に追加

半導体発光素子１は、サファイアからなる基板１１０と、窒化珪素からなり基板１１０に島状に形成される複数の突起１１５と、基板１１０および複数の突起１１５に積層される中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０とを備える。 - 特許庁

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。 - 特許庁