trimethyl aluminumとは 意味・読み方・使い方

In some embodiments, a substrate is alternately and sequentially brought into contact with a metal precursor such as trimethyl aluminum, and a silanol such as a TPS, at 200°C less.例文帳に追加

一部の実施形態において、基板は、約２００℃未満の温度で、トリメチルアルミニウムなどの金属前駆体、およびＴＰＳなどのシラノールと交互におよび連続して接触される。 - 特許庁

After the supply of the trimethyl gallium and trimethyl aluminum is stopped at time t7 to stop the film deposition, the supply of the ammonium and hydrogen to the growth furnace is promptly stopped and nitrogen begins to be supplied to change an atmosphere of ammonium and hydrogen into an atmosphere of nitrogen in a chamber of the growth furnace.例文帳に追加

時刻ｔ７でトリメチルガリウム及びトリメチルアルミニウムの供給を停止して成膜を停止した後に、速やかに、成長炉へアンモニア及び水素の供給を停止すると共に窒素の供給を開始して、成長炉のチャンバ中においてアンモニア及び水素の雰囲気を窒素の雰囲気に変更する。 - 特許庁

The substrate processing equipment has a system for supplying first processing gas containing trimethyl aluminum and second processing gas containing oxygen (O) alternately into a chamber for processing a wafer, and an exhaust system 250 and forms a thin film of aluminum oxide on the wafer.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェハを処理する処理室内に、トリメチルアルミニウムを含む第１の処理ガスと、酸素（Ｏ）を含む第２の処理ガスとを交互に供給するガス供給系と、排気系２５０とを有し、ウェハ上に酸化アルミニウムの薄膜を形成する。 - 特許庁

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。 - 特許庁

Growth is discontinued before the supply of raw material is switched from InGaAs to GaInP, to be terminated at group III atom covering arsenic atom remaining in the surface of InGaAs crystal and trimethyl aluminum TMA alone is supplied.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ結晶の表面に残留している砒素原子を覆って III族原子で終端させるために、ＩｎＧａＡｓからＧａＩｎＰに原料の供給を切り替える前に成長中断を行い、トリメチルアルミニウムＴＭＡだけを供給するものである。 - 特許庁

A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.例文帳に追加

複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁

This method for forming the transistor of the semiconductor element comprises a step for forming a plurality of gate stacks 110 on a semiconductor substrate 100, and a step for forming spacer oxide films 118 on a plurality of the gate stacks 110 by supplying trimethyl aluminum and tris- (tert-alkoxy) silanol in a gas state alternately to the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上に複数のゲートスタック１１０を形成する段階と;前記半導体基板１００上に気体状態のトリメチルアルミニウム及びトリス(ｔｅｒｔ-アルコキシ)シラノールを交互に供給することで、前記複数のゲートスタック１１０上にスペーサ酸化膜１１８を形成する段階と；を含んで半導体素子のトランジスタ形成方法を構成する。 - 特許庁

Then, an oxygen gas, a hydrogen gas, and trimethyl aluminum are supplied to the diamond crystal layer 1 in a CVD chamber having been reduced in pressure to 76 Torr to form an insulating layer 4 of an Al(OH)_3 or Al_1-x-yO_xH_y compound at a gate portion between the source electrode 2 and drain electrode 3 into a thickness of 8 nm.例文帳に追加

次に、７６Ｔｏｒｒに減圧したＣＶＤチャンバ内で、上記ダイヤモンド結晶層１に、酸素ガス、水素ガス、トリメチルアルミニウムを供給し、ソース電極２とドレイン電極３との間のゲート部に厚さ８ｎｍのＡｌ（ＯＨ）_3またはＡｌ_1-x-yＯ_xＨ_y化合物からなる絶縁層４を形成する。 - 特許庁