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トリメチルアルミニウムの英語
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英訳・英語 trimethylaluminum
「トリメチルアルミニウム」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
トリメチルアルミニウムの製造方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING TRIMETHYLALUMINUM - 特許庁
高純度トリメチルアルミニウム及びトリメチルアルミニウムの精製方法例文帳に追加
HIGH-PURITY TRIMETHYLALUMINUM AND METHOD FOR PURIFYING TRIMETHYLALUMINUM - 特許庁
トリメチルアルミニウムとオゾンガスが反応し、酸化アルミニウム薄膜14_1が形成される。例文帳に追加
An aluminum oxide thin film 14_1 is formed by reaction between trimethylaluminum and ozone gas. - 特許庁
第1基板8の上面81の複数箇所に、トリメチルアルミニウムからなる液滴5を配置する。例文帳に追加
Liquid drops 5 of trimethyl aluminum are disposed on a plurality of positions on the upper face 81 of a first substrate 8. - 特許庁
トリメチルアルミニウムとオゾンガスの導入を交互に複数回行い、アルミナ薄膜14_1、14_2を積層させ、トンネル障壁膜を形成する。例文帳に追加
The introductions of trimethylaluminum and ozone gas are effected alternately by a plurality of times to laminate the alumina thin films 14_1, 14_2 and form a tunnel barrier film. - 特許庁
トリメチルアルミニウムガスが処理室32内加熱領域に入ってから吹出口59群および吹出口69群から吹き出されるまでの助走距離が長く、かつ略等しいので、ボート40の上部と下部とでトリメチルアルミニウムガスの供給量が均一になり、600℃でウエハ上に形成されたウエハ面内均一性およびウエハ相互間均一性が高まる。例文帳に追加
Since inlet lengths for which trimethylaluminum gas travels after entry to a heating region in the processing chamber 32 till being jetted from the group of jets 59 and the group of jets 69 are long and are approximately equal to each other, the supply amount of trimethylaluminum gas is uniform above and below the boat 40 to enhance uniformity within a wafer surface formed on a wafer at 600°C and uniformity between wafers. - 特許庁
不活性ガスと気体状のアルキル金属、例えばトリメチルアルミニウムやトリメチルガリウムとを混合したガスを、反応室(リアクター)内に常温で流通させるアルキル金属流通パージを行う。例文帳に追加
A mixed gas of inert gas and gaseous alkyl metal such as trimethyl aluminum or trimethyl gallium kept at normal temperatures is circulated into a reaction chamber (reactor) for carrying out an alkyl metal flow purging treatment. - 特許庁
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Weblio英和対訳辞書での「トリメチルアルミニウム」の英訳 |
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トリメチルアルミニウム
「トリメチルアルミニウム」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
工程S108では、時刻t5において、窒素に加えて、水素、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを含む原料ガスG1を成長炉10に供給して、主面11a上にAlNバッファ層13を成長する。例文帳に追加
In a process S108, a material gas G1 containing hydrogen, trimethyl aluminum and ammonia in addition to nitrogen is supplied to a growth furnace 10 at time t5 to grow the AlN buffer layer 13 on a principal surface 11a. - 特許庁
成膜対象物10bを真空雰囲気に置き、有機薄膜から成る第一の超伝導電極膜13表面にトリメチルアルミニウムを吸着させ、真空排気した後、オゾンガスを導入する。例文帳に追加
An object 10b for depositing film is put in vacuum atmosphere to adsorb trimethylaluminum onto the surface of a first superconductive electrode film 13 consisting of the organic thin film, and evacuation is effected to introduce ozone gas thereafter. - 特許庁
一部の実施形態において、基板は、約200℃未満の温度で、トリメチルアルミニウムなどの金属前駆体、およびTPSなどのシラノールと交互におよび連続して接触される。例文帳に追加
In some embodiments, a substrate is alternately and sequentially brought into contact with a metal precursor such as trimethyl aluminum, and a silanol such as a TPS, at 200°C less. - 特許庁
基板温度が十分に安定した時刻t6でトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを成長炉に供給して、i−AlGaN膜を成長する。例文帳に追加
At time t6 when the substrate temperature becomes sufficiently stable, trimethyl gallium, trimethyl aluminum and ammonium are supplied to the growth furnace to grow an i-AlGaN film. - 特許庁
第2ミラー・スタック111は、第2クラッディング層109上に被着され、V族含有有機金属(TBAs)とIII族有機金属(トリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウム)との比率によって制御される炭素ドーピング・レベルを有する。例文帳に追加
A second mirror stack 111 covers and is adhered to the second cladding layer 109, and includes the carbon doping level controlled by a ratio of Group V containing organic metals (TBAs) to Group III organic metals (trimethylgallium and trimethylaluminum). - 特許庁
C_2 以上のアルキル基を有するテトラアルキルジアルミノキサン、またはC_2 超のアルキル基を有するトリアルキルアルミニウム化合物を水と反応させてポリアルキルアルミノキサンを生成させ、次いでこれをトリメチルアルミニウムと反応させることより成るメチルアルミノキサンの合成方法。例文帳に追加
A tetraalkyldialuminoxane containing a ≥2C alkyl group or a trialkylaluminum compound containing a >2C alkyl group is reacted with water to form a polyalkylaluminoxane, which is then reacted with trimethylaluminum. - 特許庁
InGaAs結晶の表面に残留している砒素原子を覆って III族原子で終端させるために、InGaAsからGaInPに原料の供給を切り替える前に成長中断を行い、トリメチルアルミニウムTMAだけを供給するものである。例文帳に追加
Growth is discontinued before the supply of raw material is switched from InGaAs to GaInP, to be terminated at group III atom covering arsenic atom remaining in the surface of InGaAs crystal and trimethyl aluminum TMA alone is supplied. - 特許庁
基板処理装置は、ウェハを処理する処理室内に、トリメチルアルミニウムを含む第1の処理ガスと、酸素(O)を含む第2の処理ガスとを交互に供給するガス供給系と、排気系250とを有し、ウェハ上に酸化アルミニウムの薄膜を形成する。例文帳に追加
The substrate processing equipment has a system for supplying first processing gas containing trimethyl aluminum and second processing gas containing oxygen (O) alternately into a chamber for processing a wafer, and an exhaust system 250 and forms a thin film of aluminum oxide on the wafer. - 特許庁
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