UNIPOLAR TRANSISTORとは 意味・読み方・使い方

To provide an unipolar nanotube transistor comprising carrier trapping substance and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

キャリヤトラッピング物質を含む単極性ナノチューブトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To utilize a manufacturing step for LSIs and provide a stable void gate structure, concerning a unipolar transistor and a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

ユニポーラトランジスタ及び半導体集積回路装置に関し、ＬＳＩの製造工程を利用するとともに、安定な空洞ゲート構造を提供する。 - 特許庁

To reduce the loss in driving an inverter in the inverter constituted of a unipolar transistor as a main switching element.例文帳に追加

ユニポーラ型トランジスタを主スイッチング素子として構成されるインバータにおいて、インバータ駆動の発生損失を低減させる。 - 特許庁

Moreover, the display device having a smaller number of manufacturing processes is realized by using a unipolar, especially an N type thin film transistor.例文帳に追加

また、単極性、特にＮ型薄膜トランジスタを使用することによって、製造工程数の少ない表示装置を提供できる。 - 特許庁

The transistor UT21 becomes a vertical MOSFET connected in parallel with an n-channel MOS transistor UT1 which is constituted as a first unipolar transistor and supplies the base current of a bipolar transistor BT1.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタＵＴ２１は、第一のユニポーラトランジスタであるｎチャネルＭＯＳトランジスタＵＴ１と並列の縦型ＭＯＳＦＥＴとなり、バイポーラトランジスタＢＴ１のベース電流を供給する。 - 特許庁

The rising voltage in the parasitic diode of the unipolar transistor for constituting the inverter is raised from the ON voltage when a current flows to the transistor.例文帳に追加

インバータを構成するユニポーラ型トランジスタの寄生ダイオードの立ち上がり電圧をユニポーラ型トランジスタの電流通流時のオン電圧より大きくする。 - 特許庁

When the bipolar transistors are of Darlington connection type, a unipolar transistor is connected between the base of each of the bipolar transistors and an emitter of the final stage of bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタがダーリントン接続である場合は、ダーリントン接続した各バイポーラトランジスタのベースと、最後段バイポーラトランジスタのエミッタ間に、それぞれユニポーラトランジスタを接続する。 - 特許庁

In a semiconductor device, n-channel MOS transistor UT21 and UT22 are constituted by respectively forming n+-type auxiliary source regions 6a and 6b in a p-type base area 4 and a p+-type drain region 5 which are the source region of a p-channel MOS transistor constituted as a second unipolar transistor.例文帳に追加

第二のユニポーラトランジスタであるｐチャネルＭＯＳトランジスタのソース領域であるｐベース領域４とｐ^+ ドレイン領域５内にそれぞれｎ^^+ 補助ソース領域６ａ、６ｂを形成し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＵＴ２１、ＵＴ２２を構成する。 - 特許庁