The formed ion beam is converged by an electrostatic lens 21, is accelerated by an after-accelerator 22, is shaped by a quadrupole lens 23, and irradiates a semiconductor wafer W arranged in a process chamber 31.例文帳に追加

生成されたイオンビームは、静電レンズ２１によって収束され、後段加速器２２によって加速され、四重極レンズ２３によって整形されて、処理室３１内に配置された半導体ウエハＷ上に照射される。 - 特許庁

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

While disposing a microwave accelerator 3 consisting of microwave cavities in an incident side of a pair of objective lenses (an objective forward electromagnetic lens 2a and an objective backward electromagnetic lens 2b) consisting of electromagnetic lenses, a microwave decelerator 4 consisting of microwave cavities are disposed in an emission side.例文帳に追加

電磁レンズからなる１対の対物レンズ（対物前方電磁レンズ２ａ，対物後方電磁レンズ２ｂ）の入射側に、マイクロ波空洞からなるマイクロ波加速器３を配設すると共に、出射側にマイクロ波空洞からなるマイクロ波減速器４を配設する。 - 特許庁