amorphous bandとは 意味・読み方・使い方

ENHANCEMENT OF SHORT-CIRCUIT CURRENT BY USE OF WIDE BAND GAP N LAYER IN PIN AMORPHOUS SILICON PHOTOCELL例文帳に追加

ｐｉｎアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップｎ層を使用した短絡電流の強化 - 特許庁

Optical band gaps of the intrinsic amorphous semiconductor films 12, 13 become wide on the side which is in contact with the amorphous semiconductor film 14.例文帳に追加

真性非晶質半導体膜１２，１３の光学的バンドギャップが、非晶質半導体膜１４と接する側において広くなっていることを特徴としている。 - 特許庁

A strength ratio of Raman-band of a laser-machined organic resin material and a Raman-band originated in a C-C expansion vibration of an amorphous carbon are evaluated.例文帳に追加

評価する対象は、レーザー加工前後の有機樹脂材料のラマンバンドの強度比とアモルファスカーボンのＣ＝Ｃ伸縮振動に起因するラマンバンドである。 - 特許庁

The second thin films 14b are made from amorphous carbon having a smaller band gap than those of the electron emission layer 16 and having a larger band gap than the first thin films 14a.例文帳に追加

第２薄膜１４ｂは電子放出層１６よりも小さく且つ第１薄膜１４ａよりも大きなバンドギャップを有する非晶質炭素からなる。 - 特許庁

HF, HBr or HI, optical band gap of the amorphous silicon thin film is not higher than 2.0 eV and the peak strength ratio I(SiH_2)/I(SiH) between the SiH_2 bond and SiH bond of an obtained amorphous silicon thin film may be lower than 0.2.例文帳に追加

得られる非晶質シリコン薄膜のＳｉＨ_２結合とＳｉＨ結合とのピーク強度比Ｉ（ＳｉＨ_２）／Ｉ（ＳｉＨ）が０．２未満であってもよい。 - 特許庁

To provide a production process of an amorphous high-pressure phase boron nitride bulk body, which enables production of an amorphous phase corresponding to cubic boron nitride that has the greatest band gap of any substance, and also, high hardness and high thermal conductivity, both ranking next to those of diamond.例文帳に追加

物質中最大のバンドギャップを有し、ダイヤモンドに次ぐ硬度、熱伝導度を有する立方晶窒化ホウ素の非晶質相の製造方法を提供する。 - 特許庁

AMORPHOUS ALLOY THIN BAND EXCELLENT IN HEAT RESISTANCE AND HEAT-RESISTANT MAGNETIC COMPONENT COMPRISING THE SAME例文帳に追加

耐熱性の優れたアモルファス合金薄帯およびこのアモルファス合金薄帯からなる高耐熱性磁性部品 - 特許庁

The first thin films 14a are made from amorphous carbon having a smaller band gap than of the electron emission layer 16.例文帳に追加

第１薄膜１４ａは電子放出層１６よりも小さなバンドギャップを有する非晶質炭素からなる。 - 特許庁