amorphous thin filmsとは 意味・読み方・使い方

To reduce variations of characteristics of two kinds of thin-film transistors having channel-length directions made orthogonal to each other which are so formed of polysilicon thin films as to change amorphous silicon films into the polysilicon films crystallized by the scanning projection of a CW laser on the amorphous silicon films, in an active-matrix type liquid crystal display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。 - 特許庁

The first thin films 14a are made from amorphous carbon having a smaller band gap than of the electron emission layer 16.例文帳に追加

第１薄膜１４ａは電子放出層１６よりも小さなバンドギャップを有する非晶質炭素からなる。 - 特許庁

To provide a transparent, conductive thin film multilayered body in which thin amorphous ITO films are stacked on a substrate containing thermoplastics resin.例文帳に追加

無定型質のＩＴＯ薄膜を熱可塑性樹脂を含む基材上に積層した透明導電性薄膜積層体を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING AMORPHOUS NIO THIN FILMS BY ALD PROCESS AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ＡＬＤ工程による非晶質ＮｉＯ薄膜の製造方法、及び該非晶質ＮｉＯ薄膜を利用した不揮発性メモリ素子 - 特許庁

To crystalize amorphous silicon thin films formed on a substrate to be processed according to a specified pattern.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜を、所定のパターンに従って結晶化することができるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then, as shown in Fig. (D), forming metal thin films 60 and 70 on the gate insulation film 50, irradiating the films with a laser beam 80 from above to crystallize the amorphous silicon thin film 40 to a polycrystalline silicon thin film 90 and a single-crystal silicon thin film 100.例文帳に追加

つぎに、図１（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜５０の上に金属薄膜６０および７０を形成し、その上からレーザー光８０を照射して非晶質シリコン薄膜４０を結晶化させ、多結晶シリコン薄膜９０および単結晶シリコン薄膜１００とする。 - 特許庁

The layer 20 has a comparatively low compositional ratio of a silicon thin film and a nitrogen thin film if existing, and provides a low specific resistance combined with a high diffusion barrier property which is brought by the amorphous form of the thin films.例文帳に追加

バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion type thin film transistor 3 having a semiconductor thin film 42 made of an amorphous silicon is provided on the upper layer side, rather than an CMOS thin-film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁