bandgap semiconductorとは 意味・読み方・使い方

Because ends of the island-like wide bandgap semiconductor layer contact the insulation layer in this structure, a phenomenon of entry of moisture and atmospheric components into the wide bandgap semiconductor layer from ends of the semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

該島状のワイドバンドギャップ半導体層の端部がその絶縁層と接する構成となるため、半導体層の端部からワイドバンドギャップ半導体層に水分・大気成分が侵入する現象を防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a III group nitride semiconductor which is capable of improving light emission efficiency by producing a spatial fluctuation in the bandgap of the III group nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体のバンドギャップに揺らぎを形成することにより、III族窒化物半導体系半導体素子の発光効率を増加させる。 - 特許庁

The oxide semiconductor has a wider bandgap and a lower intrinsic carrier density than silicon.例文帳に追加

なお、当該酸化物半導体は、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い。 - 特許庁

The oxide semiconductor has a wider bandgap and a lower intrinsic carrier density than silicon.例文帳に追加

また、当該酸化物半導体は、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い。 - 特許庁

The first compound semiconductor layer is removed while irradiating the first compound semiconductor layer with light having energy between the first bandgap and the second bandgap, and the substrate is separated from the compound semiconductor laminated structure.例文帳に追加

前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。 - 特許庁

A first compound semiconductor layer containing Al_xGa_1-xN (0≤x<1) having a first bandgap is formed over a substrate.例文帳に追加

基板の上方に、第１のバンドギャップのＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）を含む第１の化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a bandgap reference circuit 101, which is a reference voltage-generating circuit, and a power current-feeding circuit 201 connected to the output terminal of the bandgap reference circuit 101.例文帳に追加

半導体装置１００は、基準電圧発生回路であるバンドギャップ基準回路１０１と、バンドギャップ基準回路１０１の出力端子に接続された電源電流供給回路２０１とを有する。 - 特許庁

To provide a high voltage semiconductor rectifier which reduces a voltage at which a minority carrier is injected and which uses a wide bandgap semiconductor having a sufficient surge current resistance.例文帳に追加

小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた高耐圧半導体整流装置を提供する。 - 特許庁