boron dopeとは 意味・読み方・使い方

Following to the boron dope process, the Si substrates are immersed into hydrofluoric aqueous solution and a boron doped layer formed on the side opposite to the boron doped surface is removed.例文帳に追加

ボロンドープ工程後は、Ｓｉ基板をふっ酸水溶液に浸し、ボロンドープ面と反対面に形成されたボロンドープ層を除去する。 - 特許庁

IRON CONCENTRATION ANALYTICAL METHOD IN BORON DOPE P-TYPE SILICON WAFER, ANALYSER FOR THE SAME, SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度分析方法および分析装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

Hydrocarbon is used as a carbon source, an organic boron compound is used as a boron source, an argon gas is mixed as a reaction adjusting gas, and boron dope diamond-like carbon is formed on the base board by high-frequency plasma CVD.例文帳に追加

炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマＣＶＤにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。 - 特許庁

The method for producing the boron-containing carbon material is characterized in that, for example, a mixed material 7 of a carbon material and boron or a boron compound is heated in a discharge plasma sintering machine (SPS) 1, in a state of passing an electric current through the mixed material 7, to thereby dope the carbon material with boron.例文帳に追加

本発明のホウ素含有カーボン材料の製造方法は、例えば、放電プラズマ焼結機（ＳＰＳ）１にて、カーボン材料とホウ素もしくはホウ素化合物との混合材料７に電流を流した状態で加熱して、前記カーボン材料にホウ素をドープすることを特徴とする。 - 特許庁

The useful dope for forming is prepared by combining a boron nitride nanotube with a polyamide composed of repeating units represented by formula (I) and formula (II), and a solvent.例文帳に追加

窒化ホウ素ナノチューブと下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）であらわす繰り返し単位からなるポリアミドと溶媒との組み合わせて、有用な成形用原液を得る。 - 特許庁

The alumina fibers excellent in heat resistance is obtained by adding water soluble polysaccharides to the dope for prevention of gelling even containing a boron compound in the dope in spinning alumina precursor fibers, and spinning the dope to obtain the precursor fibers and then baking the precursor fibers.例文帳に追加

アルミナ繊維前駆体を紡糸するにあたり、紡糸原液にホウ素化合物を含有させた場合にも紡糸原液がゲル化を起こさないように紡糸助剤として水溶性多糖類を使用して紡糸原液を調製し、これを紡糸し、前駆体を得た後、前駆体を焼成して耐熱性に優れたアルミナ繊維を得る。 - 特許庁

To dope with high precision impurities such as carbon when a silicon/ germanium mixed crystal film is grown to effectively suppress diffusion of impurities such as boron.例文帳に追加

シリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる際に、所望の領域に炭素等の不純物を高精度にドープし、ボロン等の不純物が拡散するのを効果的に抑制できるようにする。 - 特許庁