boron distributionとは 意味・読み方・使い方

Consequently, such a p-type concentration distribution that the concentration of a p-type impurity becomes higher as going toward the boron-introduced areas 2 from the element area of the substrate 1 is formed.例文帳に追加

これにより、半導体基板１の素子領域からボロン導入領域２に向けてｐ型の不純物濃度が高くなるようなｐ型濃度分布が形成されている。 - 特許庁

To provide a boron nitride thin film containing boron nitride crystal with a pointed tip with excellent field electron emission properties, and an emitter of high efficiency with a low field electron emission threshold value through a proper control of a distribution state of crystal, in an emitter design with the thin film.例文帳に追加

電界電子放出性に優れた、先端の尖った形状の窒化ホウ素結晶を含む窒化ホウ素薄膜と、その薄膜によるエミッター設計において、前記結晶の分布状態を適正にコントロールすることによって、電界電子放出閾値の低い、効率の良いエミッターを提供する。 - 特許庁

Since nitrogen distribution becomes steep in the silicon oxynitride film 12 through NO gas annealing, high driving power is attained while preventing boron in the p-type MIS transistor from projecting.例文帳に追加

ＮＯガスアニールにより、シリコン酸窒化膜１２中の窒素の分布状態が急峻となることで、ｐ型ＭＩＳトランジスタにおけるボロンの浸みだしを抑制しつつ、高い駆動力を得る。 - 特許庁

The interaction due to boron and phosphorus is suppressed by the nitrogen in the nitrogen distribution layers 3N and 53N, so that a MOS transistor comprising low- resistance gate electrodes 5 and 55 and a specified threshold value is manufactured.例文帳に追加

窒素分布層３Ｎ，５３Ｎ中の窒素によりホウ素及びリンによる上記相互作用が抑制されて、低抵抗のゲート電極５，５５及び所定のしきい値を有するＭＯＳトランジスタが製造される。 - 特許庁

In the beam detection member 2 for detecting the position or the intensity of a beam 7, a beam irradiation part 6 for irradiating the beam 7 comprises a polycrystal diamond film 4 containing boron (B) averagely 10-150 ppm, and the boron (B) concentration in the polycrystal diamond 4 has an uneven concentration distribution in the film thickness direction of the polycrystal diamond film 4.例文帳に追加

ビーム７の位置や強度を検出するためのビーム検出部材２であって、ビーム７が照射されるビーム照射部６が、ホウ素（Ｂ）を平均１０〜１５０ｐｐｍ含む多結晶ダイヤモンド膜４からなり、この多結晶ダイヤモンド４中のホウ素（Ｂ）濃度は、前記多結晶ダイヤモンド４の膜厚方向に不均一な濃度分布を持つ。 - 特許庁

The distribution of carbon C and boron B within the base layer is controlled so that the concentration of the B is higher than the concentration of the C in the side bordering the emitter layer, and upon the formation of the emitter layer, both the B and C are diffused into a portion of the emitter layer bordering the base layer.例文帳に追加

ベース層中におけるＣとＢの分布を、エミッタ層に接する側においてＢ濃度がＣ濃度よりも大きくなるように制御し、エミッタ層を形成する際に、ＢとＣを共に、エミッタ層のうち、ベース層に接する部分に拡散させる。 - 特許庁

To provide a lightweight boron carbide sintered compact which has uniform crystal diameter distribution and high mechanical characteristics including compressive strength and is obtained by solving problems that the propagation of crack in the suffering of strong shock is not suppressed, particularly compressive strength required in the use as a protective member is not sufficient to easily cause crack and the protective member using the same.例文帳に追加

炭化硼素質焼結体の結晶粒径分布がほぼ均一であり、高い衝撃を受けた際のクラックの進展を抑制することができず、特に防護部材として用いた場合には圧縮強度が十分でないため、クラックが生じやすいという。 - 特許庁

A method for manufacturing the ceramic sintered compact comprises compacting a raw material powder which contains boron nitride powder having the maximum values of the frequency particle distribution at the area of 0.5-5 μm and at the area of 5-50 μm, and titanium diboride powder, and, thereafter, sintering the compacted raw material powder in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

頻度粒度分布において０．５〜５μｍの領域と５〜５０μｍの領域とに極大値を有する窒化ホウ素粉末と、二硼化チタン粉末とを含有してなる原料粉末を成形した後、非酸化性雰囲気下、焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 - 特許庁