boron dopingとは 意味・読み方・使い方

In the case boron doping to P channel transistors is not desired the ion is implanted with the additional mask.例文帳に追加

また、Ｐチャネルトランジスタにボロンを入れたくない場合には、マスクを追加した状態でイオン注入する。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

In this case, the counter doping using an in-site B (boron) doped epitaxial layer or B and C (carbon) codoped epitaxial layer is provided.例文帳に追加

本発明は、その場Ｂドープ・エピタキシャル層またはＢおよびＣ共ドープ・エピタキシャル層を用いるカウンタ・ドーピングを提供する。 - 特許庁

To provide a boron-doped carbon nanotube with high quality that can not be conventionally obtained, and to provide a method for doping a carbon nanotube with boron by a chemical vapor phase growth method.例文帳に追加

本発明は、従来には得られない高品質のホウ素ドープカーボンナノチューブを提供するとともに、化学気相成長法により、カーボンナノチューブにホウ素をドープする製法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce fluctuation of thickness of a boron doping layer formed on a substrate, and to prevent a silicon substrate and a dummy silicon substrate from sticking to a diffusion source.例文帳に追加

シリコン基板に形成されるボロンドープ層の厚みのバラツキを小さくし、シリコン基板及びダミーシリコン基板の拡散源への貼り付きを防止すること。 - 特許庁

Doping concentration of the boron or the antimony is made in the range of 1×10^10-1×10^22 atoms/cm^3.例文帳に追加

ボロン、又はアンチモンのドーピング濃度は、１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲にすることである。 - 特許庁

During the deposition of the first AHM layer, doping is performed with at least one dopant selected from a group consisting of silicon, silane, boron, nitrogen, germanium, carbon, ammonia, and carbon dioxide.例文帳に追加

第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。 - 特許庁

Hardness of the coating film can further be enhanced by mixing and doping 0.001-5 atm% impurity of boron B or nitrogen N to the amorphous silicon carbide.例文帳に追加

ホウ素Ｂまたは窒素Ｎの不純物を、アモルファスシリコンカーバイドの０．００１〜５原子％混合してドープすることによって、硬度をさらに向上することができる。 - 特許庁