buried arcとは 意味・読み方・使い方

Each divided circular arc body 20 is constructed of a circular arc concrete skeleton 21, an outer shell 22 covering the outer circumferential face of the concrete skeleton 21, and a binding tube material buried in the concrete skeleton 21 and filled with concrete inside.例文帳に追加

各分割円弧体２０が円弧形のコンクリート躯体２１と、コンクリート躯体２１の外周面を被覆する外殻２２と、コンクリート躯体２１に埋設し、内部にコンクリートを充填した拘束管材２３とより構成する。 - 特許庁

To a base material structured of an alloy of copper and tungsten at either a fixed arc contactor or a movable arc contactor, a thermal conducting part with thermal conductivity higher than that of the base material is buried toward a depth direction from a face exposed to the arc in either a thin-plate or a core-like shape.例文帳に追加

固定アーク接触子および可動アーク接触子の少なくとも一方に、銅とタングステンとの合金で構成された基材に、この基材よりも熱伝導性が高い熱伝導部を薄板状および芯状の少なくとも一方の形状でアークに曝される面から深さ方向に向かって埋設したものである。 - 特許庁

A coaxial type vacuum arc vapor deposition source 1 is used to fabricate the nanodots 33, which are buried in an insulating layer 34 and hold electric charges, from a metal material or semiconductor material.例文帳に追加

同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。 - 特許庁

Inside the tip part of the cathode 1 is buried an electron emitter 4 for supplying electron stably during the arc discharge constituted of a core part 2 and a peripheral part 3.例文帳に追加

陰極１の先端部の内部には、アーク放電中に電子を安定に供給するための電子放射体４が埋設されており、電子放射体４は芯部２及び周囲部３より構成されている。 - 特許庁

A roller 5 is buried in a hole portion 34 bored in the small-diameter portion 33 of the fixed housing 3 and a coil spring 6 applies a preload to the projected arc surface portion of the roller 5 in such a state as surrounding the small diameter portion 33.例文帳に追加

固定ハウジング３の小径部３３に穿った穴部３４にローラ５を埋設し、そのローラ５の突出した円弧面部分をコイルバネ６で小径部３３を囲むように予圧を与える。 - 特許庁

A semiconductor memory cell comprises a memory capacitor 12 formed in a trench, a transfer device formed in a mesa region which extends on the substantial arc of the periphery of the trench and is electrically isolated, and a buried strap which electrically connects the transfer device to the memory capacitors, wherein the transfer device comprises a controlled conduction channel located at a prescribed position on the arc removed from the buried strap.例文帳に追加

この半導体メモリ・セルは、トレンチ内に形成された記憶キャパシタ１２と、トレンチの外周の実質的な弧の上に延びる実質的に電気的に分離されたメサ領域内に形成されたトランスファ・デバイスと、トランスファ・デバイスを記憶キャパシタに導電接続する埋込みストラップとを含み、トランスファ・デバイスは埋込みストラップから除去された弧の所定の位置に位置する被制御伝導チャネルを含む。 - 特許庁