carrier diffusion type transistorとは 意味・読み方・使い方

The carrier capture region formed in the high power supply voltage circuit section is formed by the same diffusion layer as the source or drain of the MOS-type transistor formed at the high supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、高電源電圧回路部内に形成されたキャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁