拡散形トランジスタの英語

一方、縦型ＰＮＰトランジスタ２１では、Ｎ＋型拡散領域３８でトランジスタ２１形成領域を囲っている。例文帳に追加

In the vertical PNP transistor 21, on the other hand, the forming area of the transistor 21 is surrounded by an N^+-type diffusion region 38. - 特許庁

ここで、ある１つの光電変換部につながり、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及びスイッチトランジスタを形成する拡散領域が、その光電変換部に隣接した光電変換部の近傍に形成され、また、上記の転送トランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及び選択トランジスタが互いに並行に配置される。例文帳に追加

Here, a diffusion area which leads to a certain photoelectric conversion part and forms the reset transistor, the source follower transistor, and a switch transistor is formed in the vicinity of a photoelectric conversion part adjacent to the photoelectric conversion part, and in addition, the transfer transistor, the reset transistor, the source follower transistor and the selection transistor are arranged in parallel with one another. - 特許庁

ｎ型トランジスタおよびｐ型トランジスタがシリコンの（５５１）面に形成された半導体装置において、前記ｎ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さが前記ｐ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さよりも薄い。例文帳に追加

In a semiconductor in which an n-type transistor and a p-type transistor are formed on a (551) plane of silicon, a thickness of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the n-type transistor is smaller than that of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the p-type transistor. - 特許庁

半導体基板１のソース拡散層８とドレイン拡散層９との間に中間拡散層１０を介してメモりトランジスタとセレクトトランジスタとを並べて形成する。例文帳に追加

Between a source diffusion layer 8 and a drain diffusion layer 9 of a semiconductor substrate 1, a memory transistor and a select transistor are formed side by side via an intermediate diffusion layer 10. - 特許庁

素子分離絶縁膜３ａに囲まれた領域の表面に、３個のＮ^+拡散層４ａ、４ｂ及び４ｃが形成されており、Ｎ^+拡散層４ａはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｃはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ｂのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｂはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａ及び１１ｂのドレイン拡散層となっている。例文帳に追加

Three N+ diffusion layers 4a, 4b, and 4c are formed on a surface of a region surrounded by an element isolating insulating film 3a. - 特許庁

アルミ電極２は、ｎ^+拡散領域１に接続し、トランジスタセルを取り囲むように形成される。例文帳に追加

An aluminum electrode 2 is connected to the n^+ diffusion region 1, and is formed to surround the transistor cell. - 特許庁

電界効果トランジスタは、半導体基板内に形成されたウエル拡散層に配される。例文帳に追加

The field effect transistor is arranged in the well diffused layer formed in a semiconductor substrate. - 特許庁

相補型バイポーラトランジスタで、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの両方のエミッタ領域を多結晶シリコン膜から添加された不純物を同時に拡散させながら、その拡散深さを同程度で目標の浅い拡散層を形成し、しかも他の拡散層に影響を与えることなく、高特性の相補型のバイポーラトランジスタを得るための製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for obtaining a complimentary bipolar transistor with a high behavior by maintaining a diffusion depth thereof to be the same degree to form a diffusion layer of a shallow target, and without affecting other diffusion layers, while simultaneously diffusing dopant added from a polycrystalline silicon film in both emitter areas of a PNP transistor and an NPN transistor in the complimentary bipolar transistor. - 特許庁