chalcopyrite structureとは 意味・読み方・使い方

To provide a photovoltaic element capable of offering high energy conversion efficiency even in an optical absorption layer formed from a compound having a chalcopyrite type crystal structure.例文帳に追加

カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも、高いエネルギー変換効率を提供できる光起電力素子を提供する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element having long-term, stable characteristics even in an optical absorption layer formed from a compound having a chalcopyrite type crystal structure.例文帳に追加

カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも長期間安定した特性を提供できる光起電力素子を提供する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element that allows even an optical absorption layer formed from a compound having a chalcopyrite type crystal structure to be processed appropriately, and can improve yields.例文帳に追加

カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも良好に加工でき、歩留まりを向上できる光起電力素子を提供する。 - 特許庁

To provide compound semiconductor particles containing a crystal phase with a chalcopyrite type crystal structure regardless of fine particles, a method for producing the same, and a dense compound semiconductor film containing a crystal phase with a chalcopyrite type crystal structure as a main crystal phase, having P type properties as a semiconductor element, and also having a uniform composition in the thickness direction.例文帳に追加

微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてＰ型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 10 has: an electrode layer 2 containing Si and O in a surface thereof; and a compound semiconductor layer 3 with a chalcopyrite structure provided on the surface of the electrode layer 2.例文帳に追加

光電変換装置１０は、表面にＳｉおよびＯを含む電極層２と、電極層２の表面上に設けられたカルコパイライト構造の化合物半導体層３とを具備する。 - 特許庁

To provide a CIGS-based chalcopyrite-type thin-film solar cell containing Al that can improve controllability of a band structure of a CIGS-system light absorbing layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＣＩＧＳ系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるＡｌを含むＣＩＧＳ系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical circuit device has a substrate 10 which consists of a group III-V compound semiconductor and a magnetic semiconductor layer 14 which is formed on the substrate, is nearly lattice matched with the substrate and has a crystalline structure of a chalcopyrite type.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、基板にほぼ格子整合し、カルコパイライト型の結晶構造を有する磁性半導体層１４とを有している。 - 特許庁

The semiconductor film has a composition with a group Ia element and a group Vb element doped in a compound semiconductor of a chalcopyrite structure comprising a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

本発明の半導体膜は、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ｉａ族元素およびＶｂ族元素が添加された組成を有する。 - 特許庁