chemical vapor deposition diamond filmとは 意味・読み方・使い方

The highly oriented diamond film in which the crystal orientation exists is formed by a chemical vapor deposition method adopting a deposition condition such that the (001) plane of the diamond crystal grains is selectively left to the substrate 1.例文帳に追加

基板１に対してダイヤモンド結晶粒の（００１）面を選択的に残す成長条件の化学気相成長法により結晶方位が配向した高配向性ダイヤモンド膜を形成する。 - 特許庁

After forming a diamond nuclei on one surface of a silicon substrate, a diamond film 4 is formed as an electron beam transmission film on one surface of a silicon substrate by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加

シリコン基板の一方の面上にダイヤモンド核を形成した後、化学気相成長法によりこのシリコン基板の一方の面上に、電子線透過膜としてダイヤモンド膜４を形成する。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

The diamond film-deposited silicon is manufactured by forming the silicon substrate having ≤500 μm thickness by the plate-like crystal growth method and depositing the conductive diamond on the silicon substrate by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加

板状結晶成長法により厚さが５００μｍ以下のシリコン基材を製造し、このシリコン基材をケミカルベーパーデポジションにより導電性ダイヤモンドで成膜することにより、ダイヤモンド成膜シリコンを製造する。 - 特許庁

The single crystal diamond [111] substrate has a step terrace structure on a surface or a deposited diamond film on a surface of the substrate by a chemical vapor deposition.例文帳に追加

表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。 - 特許庁

A microcrystalline diamond film 2 is deposited on a nondiamond carbon base material 1 consisting of amorphous carbon or graphite at a film deposition rate of 0.5 μm/hr by a chemical vapor phase synthesis.例文帳に追加

アモルファス炭素又はグラファイトからなる非ダイヤモンド炭素基材１上に、化学気相合成によって、成膜速度を０．５μｍ／時として微結晶ダイヤモンド膜２を形成する。 - 特許庁

On an internal surface of the container comprising a resin layer formed to be a cup using a resin such as a polyethylene terephthalate, a polyethylene and a polypropylene, a ceramic film such as silicon oxide, diamond-like carbon, and alumina is provided by means of chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD) or the like.例文帳に追加

ポリエチレンフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの樹脂を用いてカップ状に成形されている樹脂層からなる容器の内表面に酸化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ等のセラミック薄膜をＣＶＤ蒸着法やＰＶＤ蒸着法等により設ける。 - 特許庁

A ceramic thin film layer 110 having either one of silicon oxide, diamond-like carbon, alumina or aluminum as a main ingredient is applied on the inner face of a resin layer 120 of the tubular container by a chemical vapor deposition method or a physical vapor deposition method.例文帳に追加

チューブ状容器の樹脂層１２０内面に、化学蒸着法又は物理蒸着法で、酸化珪素、ダイアモンドライクカーボン、アルミナ又はアルミニウムのいずれかを主成分とするセラミック薄膜層１１０をコーティングする。 - 特許庁