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collector diffusion isolationとは 意味・読み方・使い方
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該当件数 : 2件
The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加
半導体装置は、第2主面側にp型のコレクタ層2が形成されたn型の半導体基板1を有し、その周縁部に内部を取囲むように第1主面よりコレクタ層2に到達するようにトレンチ13が形成され、その側壁より拡散にて形成されたp型分離領域14がコレクタ層2と連結して設けられている。 - 特許庁
A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加
分離領域115に高濃度N型拡散層116を設けることにより、寄生NPNトランジスタ102のコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁
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