compound dislocationとは 意味・読み方・使い方

To produce a compound raw material which produces a compound single crystal having a stabilized composition with a low dislocation density and a method for producing the same.例文帳に追加

転位密度の低い安定した組成の化合物単結晶を製造できる化合物原料と製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the luminous efficiency of a GaN compound semiconductor regardless of the presence/absence of dislocation.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体において、転位の存在にかかわらず発光効率を向上させる。 - 特許庁

To achieve the epitaxial growth of a low defect compound semiconductor crystal on an Si substrate with no dislocation.例文帳に追加

Ｓｉ基板上への無転位で低欠陥な化合物半導体結晶のエピタキシャル成長を実現する。 - 特許庁

The compound semiconductor wafer consists of a compound semiconductor and contains impurities to reduce dislocation density with higher concentration in an outer edge portion 2 than in the interior region 3.例文帳に追加

化合物半導体からなり、転位密度を低減する不純物を内側領域３よりも外縁部２に高濃度で含有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large diameter compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留まり良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal having a large diameter and a low dislocation density in high productivity and a high yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。 - 特許庁

Since a dislocation line 6 is shielded with the void 5, the GaN group compound semiconductor crystal 20 of high quality is provided.例文帳に追加

転位線６は空洞５で遮断されるため、高品質なＧａＮ系化合物半導体結晶２０が得られる。 - 特許庁

Consequently, the dislocation density caused by the difference of lattice constant between a GaN compound semiconductor layer and the substrate is reduced.例文帳に追加

それによって、ＧａＮ化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。 - 特許庁