「compound dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce the dislocation density of GaN layers in a GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層の転位密度を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal having low dislocation density and the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

低転位密度の化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

To produce a compound raw material which produces a compound single crystal having a stabilized composition with a low dislocation density and a method for producing the same.例文帳に追加

転位密度の低い安定した組成の化合物単結晶を製造できる化合物原料と製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the luminous efficiency of a GaN compound semiconductor regardless of the presence/absence of dislocation.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体において、転位の存在にかかわらず発光効率を向上させる。 - 特許庁

To achieve the epitaxial growth of a low defect compound semiconductor crystal on an Si substrate with no dislocation.例文帳に追加

Ｓｉ基板上への無転位で低欠陥な化合物半導体結晶のエピタキシャル成長を実現する。 - 特許庁

The compound semiconductor wafer consists of a compound semiconductor and contains impurities to reduce dislocation density with higher concentration in an outer edge portion 2 than in the interior region 3.例文帳に追加

化合物半導体からなり、転位密度を低減する不純物を内側領域３よりも外縁部２に高濃度で含有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large diameter compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留まり良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal having a large diameter and a low dislocation density in high productivity and a high yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。 - 特許庁

Since a dislocation line 6 is shielded with the void 5, the GaN group compound semiconductor crystal 20 of high quality is provided.例文帳に追加

転位線６は空洞５で遮断されるため、高品質なＧａＮ系化合物半導体結晶２０が得られる。 - 特許庁

Consequently, the dislocation density caused by the difference of lattice constant between a GaN compound semiconductor layer and the substrate is reduced.例文帳に追加

それによって、ＧａＮ化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。 - 特許庁

To provide a material and a structure for reducing the dislocation density at the time of growing III nitride compound semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物化合物半導体の成長時の転位密度を減少させるための材料および構造の提供。 - 特許庁

To provide a self-supporting substrate of nitride III-V group compound semiconductor crystal having a small dislocation density and little warpage.例文帳に追加

転位密度が小さく反りの少ない窒化物系３−５族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。 - 特許庁

To reduce the occurrence of crystal defect, i.e., dislocation in a compound semiconductor layer in a compound semiconductor wherein lattice mismatching between a substrate and the compound semiconductor layer formed on the substrate is ≥2%.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

To form a (non-defect) III-V compound semiconductor layer in which dislocation is completely eliminated on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層を形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a compound semiconductor layer in which a compound semiconductor layer with low dislocation can be formed epitaxially while limiting increase in the number of steps and the time of manufacturing process.例文帳に追加

工程数の増大及び工程の長時間化が抑制された、転位の少ない化合物半導体層をエピタキシャル成長できる化合物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor substrate with superior electrically insulating performance between a compound semiconductor layer and an Si substrate, low dislocation density, and high quality, and a method for manufacturing this substrate.例文帳に追加

化合物半導体層とＳｉ基板との間の電気絶縁性にすぐれ、かつ転位密度の低い高品質の化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this process, in the upper of the part where the second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown laterally in epitaxial manner, propagation of through dislocation which group III nitride-based compound semiconductor layer 31 has is restrained and a region where through dislocation is reduced can be made in the filled steps.例文帳に追加

このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has a base plate and a compound semiconductor layer formed on the base plate and has a lattice mismatch of 2% or higher between the base plate and the compound semiconductor layer, and which can reduce generation of crystalline defect or dislocation.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

To provide a group III nitride compound semiconductor light-emitting element which is reduced in threading dislocation in a semiconductor layer and can obtain excellent emission characteristics.例文帳に追加

半導体層中の貫通転位が少なく、優れた発光特性の得られるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The uppermost layer of the basic bottom layer 20, which is the group III nitride-based compound semiconductor layer 31, is a layer of good crystallinity with a reduced number of through dislocation.例文帳に追加

基底層２０の最上層であるIII族窒化物系化合物半導体層３１は、貫通転位の抑制された結晶性の良い層となる。 - 特許庁

Thereby dislocation generated based on a lattice constant difference or thermal expansion coefficient difference can be prevented and thus the superior quality of inexpensive compound semiconductor substrate can be obtained.例文帳に追加

よって、格子定数差や熱膨張率差に基づいて発生する転位を防ぎ、良質で安価な化合物半導体基板を作ることができる。 - 特許庁

The semiconductor crystal is a semiconductor crystal 50 comprising a compound, which has a diameter of at least 6 inches and an average dislocation density of not more than 1x10^4 cm^-2.例文帳に追加

化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０^4ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To provide a GaN-based compound semiconductor substrate wherein dislocation density reaching to a surface layer is simply and effectively reduced and a method for producing the same.例文帳に追加

表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるＧａＮ系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate in which dislocations in the whole element layer can be reduced uniformly within the surface and the area of the low dislocation region can be simply enlarged.例文帳に追加

素子層全体を面内均一に低転位化させることができ、簡便に、低転位領域の大面積化を図ることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a new method of manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the propagation of a dislocation from a seed crystal is effectively suppressed and the yield can be drastically improved.例文帳に追加

種結晶からの転位の伝搬を効果的に抑制して歩留りを大幅に向上させることができる新規な化合物半導体単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁

To configure an active layer comprising a III-V compound semiconductor layer of low dislocation concentration, for example, and to stably supply LED excellent in dielectric withstanding voltage in reverse current.例文帳に追加

活性層を低転位密度のIII−Ｖ族化合物半導体層で構成し、例えば、逆方向電流の耐電圧に優れるＬＥＤを安定して提供する。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor capable of largely improving a yield of a compound semiconductor single crystal with good quality and less crystal defect such as dislocation in the manufacturing method of the compound semiconductor single crystal such as GaAs by a liquid sealing Czochralski method.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a III-V-group compound crystal substrate and a III-V-group compound crystal film of satisfactory quality which are easily manufactured and have small penetration dislocation, a method for manufacturing them, and a manufacturing method for a device which uses them.例文帳に追加

製造が簡単で貫通転位の少ない良質なＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板およびＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜、それらを製造するための方法、およびそれらを用いたデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To inhibit dislocation due to thermal strain from being caused and to make a cooling rate high in a method for the production of compound semiconductor crystal using a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いた化合物半導体結晶の製造方法において、熱歪みによる転位発生の抑制と冷却速度の高速化を実現することを可能とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal which yields a large effect to reduce dislocation density, can reduce the twin development probability, and has high qualities and a high single crystallization ratio.例文帳に追加

転位密度低減効果が大きく、双晶発生確率を低減することができる、高品質で単結晶化率が高い化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the propagation of the dislocation from the seed crystal to the growing crystal side can be suppressed and the high quality compound semiconductor single crystal can be obtained in a good yield.例文帳に追加

これによって、後述するように種結晶から成長結晶側への転位の伝搬が抑制され、高品位の化合物半導体単結晶を歩留り良く得ることができる。 - 特許庁

To obtain a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element for emitting UV-rays in which internal quantum efficiency is enhanced and the occurrence of dislocation or crack is prevented or suppressed by relaxing stress in the element.例文帳に追加

紫外線発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、内部量子効率を向上させ、素子内部の応力を緩和して転位やクラックの発生を防止又は抑制する。 - 特許庁

In this manner, the dislocation density of the GaN layers is reduced by inserting the quantum well layer (MQW) 14 composed of GaN and GaNP between the GaN layers in the GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

このように、ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層間にＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層を挿入することでＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

The nitrogen compound semiconductor comprising Al is stable in scientific manner at a high temperature while easy to cause lateral growth compared to GaN, and a dislocation is further reduced to provide a flat-surface film 108.例文帳に追加

Ａｌを含む窒素化合物半導体は高温で科学的に安定であり、ＧａＮに比べて横方向成長が起こり易く、転位をより低減して平坦な表面の膜１０８が得られる。 - 特許庁

A compound semiconductor wafer 1 to be evaluated is irradiated with laser light and the parts A-F where the peak intensity of photoluminescent light radiated from the wafer 1 is high are regarded as the parts of high dislocation density.例文帳に追加

評価対象の化合物半導体ウエハ１にレーザ光を当てたとき、ウエハ１より放射されるフォトルミネッセンス光のピーク強度の高い個所Ａ〜Ｆを高転位密度個所と判定する。 - 特許庁

To realize epitaxial growth without decreasing its speed even with a low dislocation substrate, at epitaxial growth of a III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族系化合物半導体のエピタキシャル成長に際し、低転位基板を用いた場合においても従来と同程度のエピタキシャル成長速度を実現することができるエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To enable multilayer formation of a plurality of nitride compound semiconductor layers with lattice constant difference of a prescribed value or more in good crystallinity, and to restrain propagation of threading dislocation to an epitaxial growth direction.例文帳に追加

所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。 - 特許庁

To provide a nondestructive evaluation method of a compound semiconductor wafer requiring no slicing of a sample other than a product sample in which dislocation density of a high level wafer having a mean dislocation density of 100/cm2 or less can be evaluated correctly without requiring a troublesome etching operation.例文帳に追加

製品とならない試料サンプルの切り出しを必要としない非破壊形式の評価方法であって、しかも、手間のかかるエッチング加工を必要とせず、さらに、平均転位密度が１００個／ｃｍ^2 以下の高水準のウエハを対象としたときに正しく転位密度の評価を行うことのできる化合物半導体ウエハの品質評価方法を提供する。 - 特許庁

In a compound semiconductor 1 composed of a buffer layer 3 and a compound semiconductor layer 4 formed on a substrate 2, the surface of at least either of the buffer layer 3 and the compound semiconductor layer 4 is formed into a wavelike surface having an unevenness in a specific direction; thus strain energy in the crystal can be reduced and dislocation density by the crystal defects can be reduced.例文帳に追加

基体２上に、バッファ層３と化合物半導体層４とが形成された化合物半導体１において、バッファ層３及び化合物半導体層４の少なくとも一方の表面を特定の方向に凹凸を有する波状面とすることにより、結晶内部の歪エネルギーを低減することができ、結晶欠陥による転位密度を低減することが可能とされる。 - 特許庁

To grow a compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield by reducing dislocations generated in the vicinity of a seeding part without using a communicating fine tube in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。 - 特許庁

To improve sensitivity and fog restraint and the storage stability of a latent image by incorporating an emulsion of flat silver halide grains having dislocation lines in at least one of invisible light sensitive silver halide emulsion layers containing a specified compound.例文帳に追加

可視光感光性と非可視感光性を有するハロゲン化銀感光材料において、感度やカブリ、潜像保存安定性等の基本性能を改良し、情景描写力をさらに向上させる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal which makes the single crystal having excellent crystallinity obtainable by decreasing the dislocation density in a grown crystal and eliminating the stress from a seed crystal.例文帳に追加

成長結晶中の転位密度を減少させるとともに種結晶からの応力をなくすことにより結晶性に優れた単結晶を得られるようにした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁