conductor wall processingとは 意味・読み方・使い方

The conductor layer of the upper half of the side surface of each partition wall 4 is removed by laser processing (laser beams R1, R2) and the conductor layer of the lower half thereof is formed as an electrode 5.例文帳に追加

前記隔壁４の側面の上半分の導電体層をレーザ加工（レーザビームＲ1，Ｒ2）により除去し、下半分の導電層を電極５をとして形成する。 - 特許庁

There is provided plasma etching equipment in which a sprayed film is set to be a conductor, by attaching the sprayed film to the front surface of a wall with which plasma is in contact, such as the wall of a processing chamber and mixing a conductor with the material of the sprayed film in plasma processing equipment using a plasma process by use of halogen gas for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの作成に、ハロゲン系のガスによるプラズマプロセスを用いたプラズマ処理装置において、処理室内の壁等のプラズマが接触する壁の表面に溶射膜を付け、この溶射膜の材料に導体を混入することにより、溶射膜を導体としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 特許庁

The through electrode circuit substrate has a through electrode 9 formed by inserting a metal conductor 8 into a through-hole 2, wherein the through-hole 2 has an electroless copper-plated film 6 formed on the inner wall surface subjected to smoothing processing by etching.例文帳に追加

貫通孔２内に金属導体８を充填してなる貫通電極９を有する貫通電極回路基板であって、前記貫通孔２は、エッチングにより平滑処理された内壁面に無電解銅めっき膜６が形成されている。 - 特許庁