counter dopingとは 意味・読み方・使い方

The counter doping amount is preferred to be gradually decreased.例文帳に追加

カウンタードープ量を次第に少なくするとなお良い。 - 特許庁

METHOD OF COUNTER-DOPING COLLECTOR REGION OF BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

バイポーラ・トランジスタのコレクタ領域をカウンタ・ドープする方法 - 特許庁

In a manufacturing step S3, counter doping is made into the impurity doped region.例文帳に追加

製造ステップＳ３では、不純物注入領域にカウンタードーピングをする。 - 特許庁

Preferably, part of the impurity doped region other than a neighbourhood of the gate electrode is subjected to the counter doping.例文帳に追加

好ましくは、不純物注入領域のうち、ゲート電極の近傍部以外をカウンタードーピングする。 - 特許庁

Whereby, The depth of the doping layer 26 having a polarity counter to the substrate 21 can be controlled inside the substrate 21.例文帳に追加

これにより、基板２１内部に基板２１と反対極性であるドーピング層２６の深さを制御しうる。 - 特許庁

In this case, the counter doping using an in-site B (boron) doped epitaxial layer or B and C (carbon) codoped epitaxial layer is provided.例文帳に追加

本発明は、その場Ｂドープ・エピタキシャル層またはＢおよびＣ共ドープ・エピタキシャル層を用いるカウンタ・ドーピングを提供する。 - 特許庁

A gate electrode 7 counterposed to a counter-doping layer 5 is embedded in a trench 50 formed in the principal surface of a semiconductor substrate 100 and forms source/drain layers 12 on both the sides of the trench 50.例文帳に追加

カウンタドープ層５に対向するゲート電極７が、半導体基板１００の主面に形成された溝５０に埋設され、溝５０の両側にソース・ドレイン層１２が形成されている。 - 特許庁