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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和対訳 > drift towardの意味・解説 

drift towardとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 〔+前+(代)名〕知らぬ間に〔…に〕陥る

drift towardの
変形一覧

複合動詞:drifting toward(現在分詞) drifted toward(過去形) drifted toward(過去分詞) drifts toward(三人称単数現在)

Weblio英和対訳辞書での「drift toward」の意味

drift toward

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「drift toward」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 26



例文

a drift toward centralization発音を聞く 例文帳に追加

中央集権化の傾向. - 研究社 新英和中辞典

The drift toward the circumference direction increase heat-transfer area to raise heat exchange rate.例文帳に追加

この円周方向の偏流によって、熱伝達面積を増加させて熱交換率を向上させる。 - 特許庁

Electrons injected from the n-type silicone substrate 1 to the strong field drift layer 6 are drifted toward the surface inside the strong field drift layer 6 and emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

n形シリコン基板1から強電界ドリフト層6に注入された電子は、強電界ドリフト層6内を表面に向かってドリフトし表面電極7をトンネルして放出される。 - 特許庁

The electrons injected in the strong electrostatic drift region 6 and originated from the n-type silicon substrate are drifted in a strong electrostatic drift region 6 toward surface and are tunneled through the surface electrode 7 to be emitted.例文帳に追加

n形シリコン基板1から強電界ドリフト部6に注入された電子は、強電界ドリフト部6内を表面に向かってドリフトし表面電極7をトンネルして放出される。 - 特許庁

An electron injected from the n-type silicon substrate 1 to the strong field drift layer 6 is drifted toward its surface in the strong field drift layer 6, and is emitted by tunneling the thin gold film 7.例文帳に追加

n形シリコン基板1から強電界ドリフト層6に注入された電子は、強電界ドリフト層6内を表面に向かってドリフトし金薄膜7をトンネルして放出される。 - 特許庁

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7.例文帳に追加

n形シリコン基板1から強電界ドリフト層6に注入された電子は、強電界ドリフト層6内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜7をトンネルして放出される。 - 特許庁

例文

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域1は、n^-型のドリフト領域1の裏面に設けられたコレクタ領域10からシェル領域5に向かって拡がる空乏層がシェル領域5に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

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「drift toward」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 26



例文

The high-voltage transistor includes a drain, a source, and one or more drift regions extending from the drain toward the source.例文帳に追加

高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。 - 特許庁

The impurity concentration of the n buffer layer 12 is gradually decreased from the n+ layer 16 toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

nバッファ層12の不純物濃度は、n+層16からn-ドリフト層6にかけて緩やかに減少する。 - 特許庁

The impurity concentration of the p anode layer 8 is relatively rapidly decreased from a first main surface toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

pアノード層8の不純物濃度は、第1主表面からn-ドリフト層6にかけて比較的急峻に減少する。 - 特許庁

A high-voltage transistor includes a drain, source and one or more drift regions extending from the drain toward the source.例文帳に追加

高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。 - 特許庁

To accurately perform each detection of drift toward leaner air-fuel ratio and detection of misfire due to the fluctuation of engine rotation when the engine is started.例文帳に追加

機関回転変動による機関始動時の空燃比のリーン化検出と失火検出を、それぞれ高精度に行う。 - 特許庁

Further, the drift toward the circumference direction flows out straight through the adjacent openings 1b etc., hence inhibiting increase of pressure loss.例文帳に追加

また円周方向の偏流は、隣接する開口孔1b等を介して、一直線に流出するため、圧力損失の増加を抑えることができる。 - 特許庁

When irradiating light from a lower direction toward the tip surface 12 of the drift pin 11 after driving completes, light irradiated in the upward direction of the concave portion 16 is reflected toward the lower direction because an angle of incidence to the concave portion 16 becomes smaller.例文帳に追加

そして打ち込みが終わった後、ドリフトピン11の先端面12に向けて下方から光を照射すると、凹部16の上方に照射した光は、凹部16に対する入射角度が小さくなるため、光は下方に向けて反射される。 - 特許庁

例文

An IGBT 10 comprises an n^+type emitter region 34, an n^-type drift region 26, a (p) type body region 28 formed between the emitter region 34 and the drift region 26, a trench gate 40 extending in the body region 28 from the emitter region 34 toward the drift region 26, and an insulator protrusion 60.例文帳に追加

IGBT10は、n^+型のエミッタ領域34と、n^−型のドリフト領域26と、エミッタ領域34とドリフト領域26を隔てているp型のボディ領域28と、エミッタ領域34からドリフト領域26に向けてボディ領域28内を伸びているトレンチゲート40と、絶縁体の突出部60を備えている。 - 特許庁

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「drift toward」の意味に関連した用語

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