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drift transistorとは 意味・読み方・使い方
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「drift transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 51件
To cancel second-order or third-order nonlinearity of a transistor, without depending on the temperature variation or on the manufacturing process drift.例文帳に追加
温度変動や製造プロセスドリフトに依存することなく、トランジスタの２次または３次の非線形性をキャンセルする。 - 特許庁
This DMOS device includes: a high-voltage transistor region and a low-voltage transistor region; a drift diffused region formed in the high-voltage transistor region; and a well region formed in the low-voltage transistor region, wherein the drift diffused region and the well region have substantially the same depth.例文帳に追加
高電圧トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域と、前記高電圧トランジスタ領域に形成されたドリフト拡散領域と、前記低電圧トランジスタ領域に形成されたウェル領域と、を含み、前記ドリフト拡散領域と前記ウェル領域が同一の深さを有することを特徴とするＤＭＯＳ素子を構成する。 - 特許庁
In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁
An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁
The power transistor device further includes a first region, a drift region that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region.例文帳に追加
パワートランジスタデバイスはさらに、第１の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。 - 特許庁
A high-voltage transistor includes a drain, source and one or more drift regions extending from the drain toward the source.例文帳に追加
高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。 - 特許庁
The high-voltage transistor includes a drain, a source, and one or more drift regions extending from the drain toward the source.例文帳に追加
高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。 - 特許庁
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「drift transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 51件
In an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), an insulating region 62 is formed as extended in the drift layer 28 up to a buffer layer 26 and arranged while being dispersed along an interface between the buffer layer 26 and the drift layer 28.例文帳に追加
ＩＧＢＴにおいて、ドリフト層２８内を伸びてバッファ層２６に達するとともに、バッファ層２６とドリフト層２８の界面に沿って分散配置されている絶縁領域６２が形成されている。 - 特許庁
In a trench gate type storage mode field-effect transistor, a lightly-doped drift region of an N-type drain is provided on a mesa between trenches.例文帳に追加
トレンチゲート型蓄積モード電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型ドレインの低濃度ドープされたドリフト領域をトレンチ間のメサに設ける。 - 特許庁
To provide a lateral type MOS transistor having a low ON-resistance which reduces its channel and drift resistances caused by its element structure, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
素子構造に起因するチャネル抵抗とドリフト抵抗を低減した、低オン抵抗の横型ＭＯＳトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Therefore, the internal resistance of the n^- type drift layer 1 becomes smaller, causing the bias voltage to decrease, thus making it possible to suppress the operation of a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加
したがって、ｎ^-型ドリフト層１の内部抵抗が小さくなることでバイアス電圧が小さくなり、寄生バイポーラトランジスタの動作を抑制することが可能となる。 - 特許庁
Related to an insulated gate field effect transistor 11, an annular source region 15 is formed as an island in a base region 14 exposed in a circle in an n-type drift region.例文帳に追加
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１１において、Ｎ形のドリフト領域に円形に露出したベース領域１４に、環状のソース領域１５を島状に形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of deciding a drift region in a self-aligned manner and of including a DMOS transistor of small on-state resistance.例文帳に追加
ドリフト領域を自己整合的に決定することができ、オン抵抗の小さいＤＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To promote the drift of a carrier by relieving lattice mismatching caused by the Ge-composition gradient in an SiGeC mixed-crystal base layer in a hetero bipolar transistor containing the base layer.例文帳に追加
ＳｉＧｅＣ混晶よりなるベース層を含むヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース層中のＧｅの組成勾配に起因する格子不整合を緩和し、キャリアのドリフトを促進する。 - 特許庁
The current amplification rate (HFE) is measured while using an emitter electrode 16 of the IGBT 1 as a collector terminal C1 of the PNP transistor 30, an EQR (equipotential ring) 20 connected to the drift layer 11 of the IGBT 1 as a base terminal of the PNP transistor 30, and a collector electrode of the IGBT as an emitter terminal E1 of the PNP transistor 30.例文帳に追加
ＩＧＢＴ１のエミッタ電極１６をＰＮＰトランジスタ３０のコレクタ端子Ｃ１とし、ＩＧＢＴ１のドリフト層１１に接続されるＥＱＲ２０をＰＮＰトランジスタ３０のベース端子とし、ＩＧＢＴのコレクタ端子をＰＮＰトランジスタ３０のエミッタ端子Ｅ１として電流増幅率（ＨＦＥ）を測定する。 - 特許庁
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