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drift type transistorとは 意味・読み方・使い方
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「drift type transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁
An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁
In a trench gate type storage mode field-effect transistor, a lightly-doped drift region of an N-type drain is provided on a mesa between trenches.例文帳に追加
トレンチゲート型蓄積モード電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型ドレインの低濃度ドープされたドリフト領域をトレンチ間のメサに設ける。 - 特許庁
The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加
本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁
The power transistor device further includes a first region of the second conductivity type, a drift region of the second conductivity type that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region of the first conductivity type.例文帳に追加
パワートランジスタデバイスはさらに、第２の導電型の第１の領域と、バッファ層の上面に隣接する第２の導電型のドリフト領域と、第１の導電型のボディ領域とを含む。 - 特許庁
To provide a lateral type MOS transistor having a low ON-resistance which reduces its channel and drift resistances caused by its element structure, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
素子構造に起因するチャネル抵抗とドリフト抵抗を低減した、低オン抵抗の横型ＭＯＳトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加
第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁
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「drift type transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
The SiC field effect transistor 1 has a vertical MIS transistor structure wherein an N^+-type source area 15 and an N^--type drift area 14 are arranged apart with a P-type body area 13 in-between, in the vertical direction perpendicular to the surface 12 (main surface) of an epitaxial layer 11.例文帳に追加
ＳｉＣ電界効果トランジスタ１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１４とがエピタキシャル層１１の表面１２（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１３を介して離間して配置された、縦型ＭＩＳトランジスタ構造を有する。 - 特許庁
A power IGBT comprises: a semiconductor substrate having an emitter region 11 of a first conductivity type and a drift region 12 of a second conductivity type adjacent to the emitter region 11; and a cell array having a plurality of transistor cells.例文帳に追加
第１の伝導型のエミッタ区域１１およびエミッタ区域１１に隣接する第２の伝導型のドリフト区域１２を有する半導体基板と、多数のトランジスタセルを有するセルアレイとを備える。 - 特許庁
Therefore, the internal resistance of the n^- type drift layer 1 becomes smaller, causing the bias voltage to decrease, thus making it possible to suppress the operation of a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加
したがって、ｎ^-型ドリフト層１の内部抵抗が小さくなることでバイアス電圧が小さくなり、寄生バイポーラトランジスタの動作を抑制することが可能となる。 - 特許庁
Related to an insulated gate field effect transistor 11, an annular source region 15 is formed as an island in a base region 14 exposed in a circle in an n-type drift region.例文帳に追加
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１１において、Ｎ形のドリフト領域に円形に露出したベース領域１４に、環状のソース領域１５を島状に形成する。 - 特許庁
As a result, since the drift region 21 and single crystalline region 17 can be completely depleted, there can be obtained a vertical n+ type MOS field effect transistor 1 which has a high withstand voltage.例文帳に追加
以上により、ｎ^+型ドリフト領域２１およびｐ^-型シリコン単結晶領域１７を完全空乏化できるので、縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１によれば、耐圧を高くすることができる。 - 特許庁
To provide a high quality liquid crystal display panel making a pixel defect inconspicuous by controlling an optical compensation drift to a dot- defective pixel on a thin film transistor type liquid crystal display panel.例文帳に追加
薄膜トランジスタ型液晶表示パネルの点欠陥画素に対する光学補償ズレを、駆動電圧で制御することで、画素欠陥の目立ちにくい高品位な液晶表示パネルを提供する。 - 特許庁
Carriers generated by the breakdown can be made not to flow below n^+-type source regions 6 and 7, so when a surge is generated, a parasitic transistor comprising the n^+-type source regions 6 and 7, the p-type base region 3, and the n-type drift layer 2 does not operate, so that the resistance can be improved.例文帳に追加
このブレークダウンにより発生するキャリアはｎ^+型ソース領域６、７の下方を流れないようにできるため、サージ発生時にｎ^+型ソース領域６、７とｐ型ベース領域３およびｎ型ドリフト層２とにより構成される寄生トランジスタが動作せず、耐量を向上させることが可能となる。 - 特許庁
In the high voltage resistant p-channel MOS transistor formed on an SOI substrate, p^+-source regions 8, an n-type body region 4, and an n^+-body/contact diffusion region 10 are surrounded by a p^+-drain region 9 and a p-type drift region 5.例文帳に追加
ＳＯＩ基板上に形成される高耐圧ＰｃｈＭＯＳトランジスタであって、Ｐ^＋ソース領域８、Ｎ型ボディ領域４およびＮ^＋ボディ・コンタクト拡散領域１０を、Ｐ^＋ドレイン領域９およびＰ型ドリフト領域５で包囲している。 - 特許庁
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