em Nとは 意味・読み方・使い方

A slider is composed of permanent magnets arranged at the interval of n/m (n and m are natural numbers to satisfy n>m≥2) of the L_EM .例文帳に追加

スライダはＬ_ＥＭのｎ／ｍ（ｎ及びｍはｎ＞ｍ≧２を満たす自然数）の間隔で配置された永久磁石で構成される。 - 特許庁

Energy En with a quantum level of a quantized level n of the first quantum well layer 7b and energy Em with a quantum level of a quantized level m of the second quantum well layer 7d satisfy a relation of En=Em, wherein n≠m.例文帳に追加

そして、第１量子井戸層７ｂの量子化レベルｎの量子準位のエネルギーＥｎと、第２量子井戸層７ｄの量子化レベルｍの量子準位のエネルギーＥｍとが、ｎ≠ｍにおいて、Ｅｎ＝Ｅｍとなる。 - 特許庁

In addition, a 20% modulus (AM) of the adhesive skin patch 10 in one direction and a 20% modulus (EM) in a direction perpendicular to the direction are both between 0.5 and 1.5 N/cm, and their ratio (AM/EM) is between 0.5 and 2.0.例文帳に追加

また、貼付製剤１０の一方向における２０％モジュラス（ＡＭ）及び該方向と直交する方向における２０％モジュラス（ＥＭ）がいずれも０．５〜１．５Ｎ／ｃｍであり、かつ両者の比（ＡＭ／ＥＭ）が０．５〜２．０である。 - 特許庁

A stator is composed of electromagnets arranged at every prescribed interval L_EM and excited by the power supply outputting a rectangular-wave current of (n) phases.例文帳に追加

ステータは所定の間隔Ｌ_ＥＭ毎に配置された電磁石で構成され、ｎ相の矩形波電流を出力する電源によって励磁される。 - 特許庁

This biaxially oriented PEN film having ≥1,400 kg/mm2 total Em+t of the Young's modulus Em in the longitudinal direction and the Young's modulus Et in the width direction has ≥100% elongation Lm at break in the longitudinal direction and ≥14,000 N/m tear-propagation resistance in the longitudinal direction.例文帳に追加

長手方向のヤング率Ｅmと、幅方向のヤング率Ｅtとの和Ｅm+tが１４００ｋｇ／ｍｍ^2 以上である二軸配向ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムにおいて、該長手方向の破断伸度Ｌmが１００％以上で、かつ長手方向の引裂伝播抵抗が１４０００Ｎ／ｍ以上である二軸配向ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 1C extends to the inside of the well region 1D, the P-type impurity concentration in the well region 1D is higher than the P-type impurity concentration in the epitaxial layer 1B, and a multiplication register EM for multiplying electrons from the horizontal shift register is formed in the well region 1D.例文帳に追加

Ｎ型の半導体領域１Ｃは、ウェル領域１Ｄ内に延びており、ウェル領域１Ｄ内のＰ型不純物濃度は、エピタキシャル層１Ｂ内のＰ型不純物濃度よりも高く、ウェル領域１Ｄにおいて水平シフトレジスタからの電子を増倍する増倍レジスタＥＭが形成されている。 - 特許庁