epitaxial interfaceとは 意味・読み方・使い方

Consequently, an epitaxial wafer in which the decrease in impurity concentration on the interface of the silicon wafer and the epitaxial layer is minimized can be produced.例文帳に追加

これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a new compound semiconductor epitaxial wafer by which the adverse effect by the contamination with impurities at the interface between an epitaxial layer and a substrate can be avoided.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板界面の不純物汚染による悪影響を未然に回避できる新規な化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth device and a method of manufacturing the liquid phase epitaxial growth in which a p-n-p-n layer is not formed in an area near a composition interface and a light emitting diode can be manufactured at a higher yield.例文帳に追加

組成界面付近でｐ−ｎ−ｐ−ｎ層が形成されず、高歩留まりで発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer suitable for production of a semiconductor device such as an HEMT, in which Si present in an interface between a substrate and an epitaxial film is effectively inactivated.例文帳に追加

ＨＥＭＴ等の半導体デバイスの作製に好適な、基板とエピタキシャル膜の界面に存在するＳｉが効果的に不活性化された半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

In this way, an electric resistance in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 can be reduced, and crystal quality of the epitaxial layer 22 can be improved.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。 - 特許庁

The interface of the gallium nitride substrate 63 and the gallium nitride epitaxial film 65 is located within the laminar region 67.例文帳に追加

窒化ガリウム基板４３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５の界面は層状領域６７内に位置している。 - 特許庁

The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller.例文帳に追加

ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ^3当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０^20以下である。 - 特許庁

To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。 - 特許庁