epitaxial interfaceとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor epitaxial wafer suitable for production of a semiconductor device such as an HEMT, in which Si present in an interface between a substrate and an epitaxial film is effectively inactivated.例文帳に追加

ＨＥＭＴ等の半導体デバイスの作製に好適な、基板とエピタキシャル膜の界面に存在するＳｉが効果的に不活性化された半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

Consequently, the upper surface position D_2 of the silicon oxide film 22 becomes shallower than the interface between the silicon substrate 2 and the epitaxial layer 18 from the surface of the epitaxial layer 18.例文帳に追加

これにより、酸化シリコン膜２２の上面位置Ｄ_2が、シリコン基板２とエピタキシャル層１８との界面の位置よりも、エピタキシャル層１８の表面から浅い位置になるようにされる。 - 特許庁

A substrate module contains the substrate 10 and an epitaxial layer 20, and the voids 13' are formed at the interface between the substrate 10 and the epitaxial layer 20 in a controllable manner.例文帳に追加

基板１０とエピタキシャル層２０からなる基板モジュールは制御可能な方式で基板１０とエピタキシャル層２０との間のインターフェースに複数の隙間１３’を形成している。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an HBT (Hetero junction Bipolar Transistor) having an emitter-base interface of low density at the level of a recombination center.例文帳に追加

再結合中心となる準位の濃度が小さいエミッタ・ベース界面を有するＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。 - 特許庁

Thereby, the amount of Si on an interface between the compound semiconductor substrate 10 and an epitaxial layer 14 formed thereon is reduced, resulting a decrease in the electric resistance on the interface.例文帳に追加

これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 - 特許庁

In this way, an electric resistance in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 can be reduced, and crystal quality of the epitaxial layer 22 can be improved.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。 - 特許庁

Thereby, formation of a high resistance layer is prevented in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁