ferromagnetic double tunnel junctionとは 意味・読み方・使い方

A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers.例文帳に追加

強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。 - 特許庁

To provide a double barrier ferromagnetic tunnel junction having a low resistance and capable of obtaining a TMR effect of 1,000% or more at room temperature, and to provide a magnetic device using the double barrier ferromagnetic tunnel junction.例文帳に追加

室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

The high output signal voltage is obtained by making the fluctuation of an MR ratio smaller in the surface of a wafer by constituting ferromagnetic layers 1, 3, and 5 so that the ratio of the magnetic element of the layers 1, 3, and 5 is different, or element contents of barrier layers 2 and 4 may are different from each other in a ferromagnetic double-layered tunnel junction.例文帳に追加

強磁性層二重トンネル接合において、強磁性層１，３，５の磁性元素の割台が異なる、あるいはバリア層２，４の含有元素が異なるように構成することにより、ウエハー面内のＭＲ比のバラツキを小さくし、大きな出力信号電圧を得る。 - 特許庁