ferromagnetic electrodeとは 意味・読み方・使い方

A first electrode terminal 45 is connected to the free-side ferromagnetic layer 55.例文帳に追加

自由側強磁性層５５には第１電極端子４５が接続される。 - 特許庁

The spin transistor has a first ferromagnetic layer whose magnetization direction is unchanged, a second ferromagnetic layer whose magnetization direction is changeable, a channel between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, and a gate electrode on the channel, and stores data by the magnetization direction of the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

本発明の例に係わるスピントランジスタは、磁化方向が不変の第１強磁性層と、磁化方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間のチャネルと、チャネル上のゲート電極とを備え、第２強磁性層の磁化方向によりデータを記憶する。 - 特許庁

The magnetic element 1 places a first ferromagnetic electrode 3 and a second ferromagnetic electrode 4 on a substrate 6 at intervals, and arranges those so as to contact an electrode 5 having a high spin hole effect to a magnetic element body 2 and the ferromagnetic electrode 3 to supply the current to the electrode 5 having the high spin effect, spin-injecting to magnetization-invert the first ferromagnetic electrode 3.例文帳に追加

磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。 - 特許庁

The three terminal-type magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer having a larger magnetic coercive force than that of the first ferromagnetic layer; a nonmagnetic material of which the film thickness provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer monotonously changes; and a gate electrode provided on the first ferromagnetic layer via a gate insulating film.例文帳に追加

第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel magnetoresistive element comprises a base film (non-magnetic or antiferromagnetic metal film) 1, an ultra-thin ferromagnetic film 2 formed on the base film 1, an insulation film 3 formed on the ultra-thin ferromagnetic film 2, and a ferromagnetic electrode 4 formed on the insulation film 3.例文帳に追加

強磁性トンネル磁気抵抗素子において、下地膜（非磁性又は反強磁性金属膜）１と、この下地膜１上に形成される極薄強磁性膜２と、この極薄強磁性膜２上に形成される絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成される強磁性電極４を有する。 - 特許庁

Gate leak current can be decreased by tunnel magnetic resistance effect, because the magnetization direction of the ferromagnetic layer 6 in the gate electrode is fixed in substantially the reverse direction to each of the magnetization directions of the first ferromagnetic electrode 3 and the second ferromagnetic electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 - 特許庁

The second electrode 18 is formed of a free ferromagnetic layer 28 of second thickness t2.例文帳に追加

第２電極（１８）は、第２厚さ（ｔ２）を有する自由強磁性層（２８）より成る。 - 特許庁