ferromagnetic electrodeとは 意味・読み方・使い方

Gate leak current can be decreased by tunnel magnetic resistance effect, because the magnetization direction of the ferromagnetic layer 6 in the gate electrode is fixed in substantially the reverse direction to each of the magnetization directions of the first ferromagnetic electrode 3 and the second ferromagnetic electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 - 特許庁

The plus electrode 111 and the minus electrode 112 of the battery 110 are constituted of a ferromagnetic substance having mutually opposite magnetic poles.例文帳に追加

バッテリ１１０の＋電極１１１、−電極１１２は互いに相反する磁極を有する強磁性体で構成される。 - 特許庁

To provide a three-terminal element which uses an electrode of a ferromagnetic metal material.例文帳に追加

強磁性体である強磁性金属材料からなる電極を用いた三端子素子を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel magnetoresistive element comprises a base film (non-magnetic or antiferromagnetic metal film) 1, an ultra-thin ferromagnetic film 2 formed on the base film 1, an insulation film 3 formed on the ultra-thin ferromagnetic film 2, and a ferromagnetic electrode 4 formed on the insulation film 3.例文帳に追加

強磁性トンネル磁気抵抗素子において、下地膜（非磁性又は反強磁性金属膜）１と、この下地膜１上に形成される極薄強磁性膜２と、この極薄強磁性膜２上に形成される絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成される強磁性電極４を有する。 - 特許庁

Ideally, the gate insulating film is constituted in a composite film of the ferromagnetic ZnO thin film and a conductive ZnO thin film which is integrally formed on the ferromagnetic thin film and used as a gate electrode.例文帳に追加

好適には、強誘電性のＺｎＯ薄膜上に、ゲート電極として用いられる導電性のＺｎＯ薄膜を一体的に形成した複合膜とする。 - 特許庁

The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁

A central electrode 4 is formed between the two ferromagnetic tunnel junctions, and a gate electrode 7 formed with a resistor (resistance value: Rg) so as to be brought into contact with the electrode 4.例文帳に追加

この２つの強磁性トンネル接合の間を中央電極４とし、中央電極４に接するように抵抗体（抵抗値Ｒｇ）を形成したゲート電極７で構成される。 - 特許庁

To form a ferromagnetic tunnel junction without using an ion milling method, to surely connect an upper wiring electrode to the fine ferromagnetic tunnel junction, and to manufacture a ferromagnetic tunnel junction device having a high yield and excellent reproducibility at a lower cost.例文帳に追加

イオンミリング法を用いずに強磁性トンネル接合部を形成することができ、且つ微細な強磁性トンネル接合部に対して上部配線電極の接続を確実に取ることができ、歩留まりと再現性に優れ、製造コストの低減をはかる。 - 特許庁