flat growthとは 意味・読み方・使い方

The method further comprises the step of forming a III-V compound semiconductor growth layer having a finally flat surface (e).例文帳に追加

最終的に平坦な表面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長層を形成する（ｅ）。 - 特許庁

Accordingly, the intermediate layer 24 normally grows on the substrate 14 and a growth face 24a of the intermediate layer 24 is flat.例文帳に追加

そのため、中間層２４は基板１４上に正常に成長しており、その成長面２４ａは平坦である。 - 特許庁

On the other hand, a step flow growth is smoothly developed on the crystal growth surface with a width L located between the stripes thanks to setting of an appropriate off angle θ(:θ^2=θ_1^2+θ_2^2), thereby permitting a high-quality and flat growth layer 2.例文帳に追加

一方、各ストライプの間に位置する幅Ｌの結晶成長面では、良好なオフ角θ（：θ^2 ＝θ_1 ^2 ＋θ_2 ^2 ）の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層２が得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC crystal thin film in which the (0001) on-axis face of an SiC substrate is used, and epitaxial growth thereon can be performed at a high speed and which has a flat growth surface.例文帳に追加

ＳｉＣ基板のジャスト面を用い、エピタキシャル成長が高速で行われ、かつ平坦な表面の成長表面を有するＳｉＣ結晶膜の製造方を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal which is large in size and has high crystallinity with a flat crystal growth surface.例文帳に追加

大型で結晶性が高く結晶成長表面が平坦なＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element which can obtain a flat film in an earlier stage of a growth process than before, in a method of manufacturing a semiconductor light-emitting apparatus including a process of forming a semiconductor layer using a lateral growth method after arranging a mask for selective growth on a substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The interval of the pattern of the alignment mark 15A is devised, thus inhibiting abnormal growth for obtaining a film growth layer with a flat surface even if the crystal is grown on the alignment mark 15A.例文帳に追加

アライメントマーク１５Ａのパターンの間隔を工夫したので、アライメントマーク１５Ａの上に結晶を成長させても、異常成長が抑制されて平坦な表面の被覆成長層を得ることができる。 - 特許庁

To form the pillar structure of nano-order dimension having a tip of flat shape more easily by a nanowire growth technique.例文帳に追加

ナノワイヤの成長技術により、先端が平坦な形状のナノオーダの寸法の柱状構造体が、より容易に形成できるようにする。 - 特許庁