gas nitriding processingとは 意味・読み方・使い方

The wet process gas and a nitriding gas form a processing ambient gas which reacts with the substrate such that an oxynitride film grows on the substrate.例文帳に追加

湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。 - 特許庁

Here, the nitriding processing is carried out in the condition where the temperature distribution of the gas for nitriding is formed in the chamber 4 such that the desired distribution of the thickness of the nitride film is formed.例文帳に追加

このとき、所望の窒化膜の厚さの分布が形成されるように、チャンバ４内において窒化用ガスの温度分布が形成された状態で窒化処理を行う。 - 特許庁

The oxygen element containing gas is added by placing an oxide solid such as a sheath 102 in a nitriding processing apparatus 100 and heating it together with the sapphire substrate.例文帳に追加

酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

At the time when gas including nitrogen is made to react to Fe particles and the Fe particles are nitrided to a particles principally with Fe_16N_2 phase, this magnetic powder can be obtained by processing this nitriding reaction under a pressurization of 0.1 MPa or more.例文帳に追加

この磁性粉末は，Ｆｅの粒子に窒素含有ガスを反応させてＦｅ_16Ｎ_2相を主相とする粒子に窒化するさいに，該窒化反応を０．１ＭＰａ以上の加圧下で進行させることによって得ることができる。 - 特許庁

The system 21 for nitriding a silicon wafer comprises a processing container 24 for containing the silicon wafer 22 in the inner space 23, a means 25 for supplying NH_3 gas to the inner space 23, a means 27 for heating the silicon wafer 22, and a means 28 for irradiating UV-rays toward the inner space 23.例文帳に追加

シリコンウェハの窒化装置２１は、シリコンウェハ２２を内部空間２３に収容する処理容器２４と、内部空間２３にＮＨ_3ガスを供給するガス供給手段２５と、シリコンウェハ２２を加熱する加熱手段２７と、内部空間２３に向けて紫外線を照射する紫外線照射手段２８とを含んで構成される。 - 特許庁