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「gate region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 4381件
The channel region is electrically separated from the gate electrode region by the gate dielectric region.例文帳に追加
チャネル領域は、ゲート誘電体領域によってゲート電極領域から電気的に分離している。 - 特許庁
An n^+ region is used for a contact region between a p gate region and a gate electrode.例文帳に追加
ｐゲート領域とゲート電極との間のコンタクト領域にｎ^＋領域を用いる。 - 特許庁
A gate electrode is formed in a matching region with the channel forming region, and a gate insulating film is formed in the region between the insulating non-monocrystal semiconductor layer and the gate electrode.例文帳に追加
ゲート絶縁膜は、絶縁非単結晶半導体層と前記ゲート電極との間に形成されている。 - 特許庁
A gate electrode 4 and a gate insulation film 3 are formed at each region.例文帳に追加
夫々の領域にゲート電極４及びゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁
The back gate region 12 is adjacent to the gate electrode 20 partially.例文帳に追加
バックゲート領域１２は、その一部がゲート電極２０に隣接している。 - 特許庁
A first region gate dielectric (504) is formed in the gate space.例文帳に追加
ゲートスペース内に第１の領域のゲート誘電体（５０４）が形成される。 - 特許庁
A gate contact is also formed on the gate region of the barrier layer.例文帳に追加
バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。 - 特許庁
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「gate region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 4381件
In one embodiment, a gate plate is provided above the gate and the gate-edge of the drift region.例文帳に追加
或る実施例で、ゲートプレートは、ゲート及びドリフト領域のゲートエッジの上部に提供される。 - 特許庁
A first region gate (506) is formed on the first region gate dielectric.例文帳に追加
第１の領域のゲート誘電体上に第１の領域のゲート（５０６）が形成される。 - 特許庁
A second region gate (302) is formed on the second region gate dielectric.例文帳に追加
第２の領域のゲート誘電体上に第２の領域のゲート（３０２）が形成される。 - 特許庁
A floating gate pattern is formed in a region in which the active region and the control gate pattern intersect.例文帳に追加
活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。 - 特許庁
In an insulated-gate semiconductor device, in an active region, only a source region is exposed between gate electrodes 7 and a first body region 13a is provided below the source region.例文帳に追加
動作領域において、ゲート電極間にはソース領域のみが露出し、ソース領域下方に第１ボディ領域を設ける。 - 特許庁
A second region gate dielectric (306) is formed in the second region.例文帳に追加
第２の領域に第２の領域のゲート誘電体（３０６）が形成される。 - 特許庁
A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203.例文帳に追加
Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。 - 特許庁
An n-type channel region 5 is provided under the gate region 2.例文帳に追加
ｎ型のチャネル領域５が、ゲート領域２の下部に設けられる。 - 特許庁
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