gate restraining deviceとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor device comprises a gate 6 made of only metal silicide; and a metal silicide film 10 formed on a source/drain layer 9 thinner than the film thickness of the gate 6, and containing a silicidation restraining component for restraining silicidation of a silicon substrate 2.例文帳に追加

金属シリサイドのみからなるゲート６と、ソース／ドレイン層９上に形成されるとともに、ゲート６の膜厚よりも薄く、かつ、シリコン基板２のシリサイド化を抑制するシリサイド化抑制成分を含む金属シリサイド膜１０と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of restraining or preventing occurrence of variation in a device characteristic of an insulation gate type field effect transistor and breakage of a gate insulation film thereof.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのデバイス特性に変動が生じることやゲート絶縁膜が破壊されるのを抑制または防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin sealing molding device equipped with a runner separation device capable of restraining the generation of a gate remnant on the resin sealing part side when a runner is separated from the resin sealing part by applying an outer force to the gate part of moldings having the runner.例文帳に追加

ランナー付き成形品のゲート部に外力を加えて、樹脂封止部からランナーを分離する際に、樹脂封止部側にゲート残りが発生することを低減できるランナー分離装置を備えている樹脂封止成形装置を提供する。 - 特許庁

To make a source region low in ON-state resistance restraining impurities from diffusing out on its surface in a semiconductor device having a trench MIS gate structure.例文帳に追加

トレンチＭＩＳゲート構造を有する半導体装置において、ソース領域の表面部での不純物のアウトディフュージョンを抑制しながらソース領域の低オン抵抗化を可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving a yield and reliability of a product by restraining plasma charge to a gate insulation film in dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制することにより、製品の歩留まり及び信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device capable of restraining a gate oxide film from varying in thickness even if self-cleaning is periodically carried out and a method of manufacturing LCD.例文帳に追加

セルフクリーニングを周期的に行ってもゲート酸化膜の膜厚変動を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置およびＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is formed of a complementary field effect transistors each equipped with a gate insulating film having a high dielectric constant and capable of restraining its threshold from varying much.例文帳に追加

高誘電率のゲート絶縁膜を有する相補型電界効果トランジスタより成り、閾値変動を小さく抑制することの可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To realize a semiconductor device equipped with a gate protecting function while restraining an increase of an array area in a transistor array equipped with diffusion bit lines and word lines intersecting the bit lines.例文帳に追加

拡散ビット線とこれに交差するワード線を備えたトランジスタアレイにおいて、アレイ面積の増大を抑制しつつ、ゲート保護機能を備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁