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gate resistanceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ゲート抵抗
「gate resistance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1178件
The gate resistance B is set to a lower resistance value than that of the gate resistance A.例文帳に追加
ゲート抵抗Aの抵抗値に対してゲート抵抗Bの抵抗値を小さくする。 - 特許庁
The gate discharge resistor portion 101 changes a resistance value from a resistance value of a resistance 4 to a resistance value provided by a synthetic resistance of a resistance 4 and a resistance 5.例文帳に追加
ゲート放電抵抗部101は、抵抗値を抵抗4の抵抗値から抵抗4と抵抗5の合成抵抗で与えられる抵抗値に変更する。 - 特許庁
Since an electrode for the gate load resistance is not provided, contact resistance which was existed between the electrode 23 of the gate load resistance and a p-type gate layer 13 is not generated.例文帳に追加
ゲート負荷抵抗用の電極が無くなるので、ゲート負荷抵抗の電極23とp型ゲート層13との間に存在した接触抵抗が無くなる。 - 特許庁
Since an electrode for the gate load resistance is not provided, a contact resistance between the electrode of the gate load resistance and a p-type gate layer is not generated.例文帳に追加
ゲート負荷抵抗用の電極が無くなるので、ゲート負荷抵抗の電極とp型ゲート層との間に存在した接触抵抗が無くなる。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED T SHAPED GATE TO REDUCE GATE RESISTANCE例文帳に追加
ゲート抵抗を減少するための自動整合T形ゲートの製造方法 - 特許庁
To provide an insulated gate thyristor having a low on-resistance and capable of a gate turnoff.例文帳に追加
オン抵抗が低く、ゲートターンオフの可能な絶縁ゲート型サイリスタを提供する。 - 特許庁
To reduce the gate resistance and the gate/drain capacitance simultaneously, in an MOS transistor of multi-fingered gate structure.例文帳に追加
多フィンガーゲート構造のMOSトランジスタにおいて、ゲート抵抗とゲート・ドレイン間容量を、同時に低減する。 - 特許庁
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「gate resistance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1178件
To reduce on-resistance of trench-gate transistor.例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタにおいて、低ON抵抗を得る。 - 特許庁
To stably form a T-shape gate electrode having a short gate length and a low resistance.例文帳に追加
短いゲート長で且つ低抵抗のT形のゲート電極を安定に形成する。 - 特許庁
An adjustment circuit 20 adjusts the resistance value of the gate resistance of the transistor gate 30 based on the current value of the negative gate currents Ig(-) of the transistor 30.例文帳に追加
調整回路20は、トランジスタ30の負のゲート電流Ig(-)の電流値に基づいて、トランジスタ30のゲート抵抗の抵抗値を調整する。 - 特許庁
To reduce contact resistance between the gate electrode and gate impurity area of an HEMT(high electron mobility transistor).例文帳に追加
HEMTのゲート電極とゲート不純物領域の接触抵抗を低減する。 - 特許庁
A gate pressure resistance holding region 27 is then formed along the grid-shaped gate trenches 15.例文帳に追加
そして、格子状のゲートトレンチ15に沿ってゲート耐圧保持領域27を形成する。 - 特許庁
To reduce on-resistance by reducing source resistance of a trench-gate MOSFET.例文帳に追加
トレンチゲートMOSFETのソース抵抗の低減をはかりオン抵抗を低減する。 - 特許庁
RESISTOR, ITS MANUFACTURE, SPUTTERING GATE AND RESISTANCE MEMBER例文帳に追加
抵抗器、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび抵抗体 - 特許庁
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