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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > gate restraining deviceに関連した英語例文

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gate restraining deviceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

METHOD AND DEVICE FOR RESTRAINING DEVELOPMENT OF DIOXIN GROUP IN INCLINED GATE FURNACE例文帳に追加

傾斜火格子炉のダイオキシン類発生抑制方法及びその装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device for forming a gate electrode having further fined gate length by restraining variations in gate length.例文帳に追加

ゲート長のバラつきを抑え、さらに微細化したゲート長の異なるゲート電極を形成することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gate device for restraining interference between a structure except the gate device such as a building frame and a mechanism for lifting-driving a gate body.例文帳に追加

躯体等のゲート装置以外の構造物とゲート本体を昇降駆動する機構とが干渉するのを抑制することが可能なゲート装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of protecting an IGBT against damages by restraining an overvoltage applied to a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の過電圧を抑制することによりIGBTの破壊を防止する半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a technique for restraining a dielectric breakdown from occurring in an insulating film covering a trench corner so as to raise the breakdown voltage of a trench gate semiconductor device.例文帳に追加

トレンチコーナ部を覆う絶縁膜の箇所での絶縁破壊を生じにくくして、耐圧を向上させるための技術を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a control device of an internal combustion engine capable of properly restraining a knock apt to be caused in failure of a waist gate valve.例文帳に追加

ウエストゲートバルブの故障時に発生し得るノックを適切に抑制することが可能な内燃機関の制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing a withstand voltage failure of a gate insulation film while restraining cost.例文帳に追加

コストを抑えつつ、ゲート絶縁膜の耐圧不良を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a gate 6 made of only metal silicide; and a metal silicide film 10 formed on a source/drain layer 9 thinner than the film thickness of the gate 6, and containing a silicidation restraining component for restraining silicidation of a silicon substrate 2.例文帳に追加

金属シリサイドのみからなるゲート6と、ソース/ドレイン層9上に形成されるとともに、ゲート6の膜厚よりも薄く、かつ、シリコン基板2のシリサイド化を抑制するシリサイド化抑制成分を含む金属シリサイド膜10と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of restraining or preventing occurrence of variation in a device characteristic of an insulation gate type field effect transistor and breakage of a gate insulation film thereof.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのデバイス特性に変動が生じることやゲート絶縁膜が破壊されるのを抑制または防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a resin sealing molding device equipped with a runner separation device capable of restraining the generation of a gate remnant on the resin sealing part side when a runner is separated from the resin sealing part by applying an outer force to the gate part of moldings having the runner.例文帳に追加

ランナー付き成形品のゲート部に外力を加えて、樹脂封止部からランナーを分離する際に、樹脂封止部側にゲート残りが発生することを低減できるランナー分離装置を備えている樹脂封止成形装置を提供する。 - 特許庁

例文

To make a source region low in ON-state resistance restraining impurities from diffusing out on its surface in a semiconductor device having a trench MIS gate structure.例文帳に追加

トレンチMISゲート構造を有する半導体装置において、ソース領域の表面部での不純物のアウトディフュージョンを抑制しながらソース領域の低オン抵抗化を可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving a yield and reliability of a product by restraining plasma charge to a gate insulation film in dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制することにより、製品の歩留まり及び信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device capable of restraining a gate oxide film from varying in thickness even if self-cleaning is periodically carried out and a method of manufacturing LCD.例文帳に追加

セルフクリーニングを周期的に行ってもゲート酸化膜の膜厚変動を抑制することができるプラズマCVD装置およびLCDの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is formed of a complementary field effect transistors each equipped with a gate insulating film having a high dielectric constant and capable of restraining its threshold from varying much.例文帳に追加

高誘電率のゲート絶縁膜を有する相補型電界効果トランジスタより成り、閾値変動を小さく抑制することの可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To realize a semiconductor device equipped with a gate protecting function while restraining an increase of an array area in a transistor array equipped with diffusion bit lines and word lines intersecting the bit lines.例文帳に追加

拡散ビット線とこれに交差するワード線を備えたトランジスタアレイにおいて、アレイ面積の増大を抑制しつつ、ゲート保護機能を備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a gate device capable of lifting and lowering a regulation member with a big weight even in a passage having limitation in an upward space and being speedily operated while restraining load on a driving section, vibration and a noise.例文帳に追加

上方空間に制限がある通路においても、重量の大きな規制部材を昇降させることができ、駆動部に掛かる負荷も小さく、振動や騒音を抑えつつスピーディに動作可能なゲート装置を提供せんとする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is excellent in maintainability, long in service life as a whole, and capable of restraining an abnormal discharge from occurring in a gate space.例文帳に追加

メンテナンス性が高く装置全体としての寿命が長いプラズマ処理装置、さらにはゲート空間における異常放電の発生を抑制したプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a gate valve device capable of restraining operation time in a target time, without generating a particle and reducing the service life of a mechanism part.例文帳に追加

パーティクルの発生や機構部寿命低下を生じさせることなく、動作時間を目標時間に納めることが可能なゲートバルブ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with the gate interconnect line of a voltage drive transistor arranged on a LOCOS oxide film, capable of restraining dielectric breakdown from occurring around the edges of the LOCOS oxide film, and has a long service life, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device at a low cost.例文帳に追加

電圧駆動型トランジスタのゲート配線がLOCOS酸化膜上に配置されてなる半導体装置であって、LOCOS酸化膜のエッジ周りにおける絶縁破壊が抑制された長寿命の半導体装置、および当該半導体装置を安価に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

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