gate‐recessの英語

To form a gate recess as designed with no current leakage from a gate and low contact resistance of an ohmic electrode, related to an FET comprising the gate recess where a mesa structure is formed to separate elements.例文帳に追加

化合物電界効果型半導体装置に関し、メサ構造を形成することで素子間分離され、且つ、ゲート・リセスをもつＦＥＴに於いて、ゲートからの漏れ電流がなく、オーミック電極の接触抵抗が低く、設計通りのゲート・リセスが形成できるようにする。 - 特許庁

An insulating film 109 is formed on at least an exposed part from the gate recess 108 in the barrier layer 104, and a gate electrode 112 is formed on the bottom surface of the gate recess 108, with the insulating film 109 being interposed in between.例文帳に追加

少なくとも障壁層１０４におけるゲートリセス１０８からの露出部分の上には絶縁膜１０９が形成され、ゲートリセス１０８の底面上には、絶縁膜１０９を介在させてゲート電極１１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a small parasitic resistance by suppressing a highly increasing of a resistance caused by an influence of a stress generated in a gate recess region, in the field effect transistor using a group III-V nitride semiconductor having a gate recess structure.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有するIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲートリセス領域に生じる応力の影響に起因する高抵抗化を抑制し、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

The side edge of a supporting fence 11a and the side edge of a gate recess fence 11 are connected at a space to each other via a connecting mechanism so that the gate recess fence 11 is displaceable from a normal position to the side of the supporting fence 11a while being kept almost in parallel to the supporting fence 11a.例文帳に追加

間隔をあけて配して支持柵１１ａの側端縁と戸袋柵１１の側端縁とを、連結機構を介して相互に連結し、前記戸袋柵１１を支持柵１１ａに対して略平行な状態に維持しながら、該戸袋柵１１を通常位置より支持柵１１ａ寄りの側方位置へと変位可能させることができる。 - 特許庁

The compound semiconductor device includes: an i-InP etching stopper layer 5 which contains P as one of constituent components and is opposite to a gate recess 6A; an area which is within a region of the i-InP etching stopper layer 5 demarcated by the gate recess 6A and is formed thinner than the other area; and a gate electrode 9 formed in the thinned area.例文帳に追加

Ｐを組成の一部として含んでゲートリセス６Ａに対向するｉ−ＩｎＰエッチングストッパ層５と、ｉ−ＩｎＰエッチングストッパ層５のゲートリセス６Ａで画成された領域内に在って該領域内の他の領域に比較して薄くされた領域と、該薄くされた領域に形成されたゲート電極９とを備える。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first semiconductor layer 14 made of a first group III-V nitride; a second semiconductor layer 15 formed on the first semiconductor layer 14, made of a second group III-V nitride and having a gate recess 16 for exposing the first semiconductor layer 14; and a gate electrode 18 formed on the gate recess 16 in the first semiconductor layer 14.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第１のIII−Ｖ族窒化物からなる第１の半導体層１４と、第１の半導体層１４の上に形成された第２のIII−Ｖ族窒化物からなり、第１の半導体層１４を露出するゲートリセス部１６を有する第２の半導体層１５と、第１の半導体層１４におけるゲートリセス部１６の上に形成されたゲート電極１８とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device has a barrier layer 104 comprising AlGaN, and a cap layer 107 formed on the barrier layer 104, having a gate recess 108 with the barrier layer 104 exposed, including a superlattice layer 105 of AlGaN/GaN, and a source electrode 110 and a drain electrode 111, formed on the cap layer 107 so as to be opposed to each other, with the gate recess 108 interposed in between.例文帳に追加

半導体装置は、ＡｌＧａＮからなる障壁層１０４と、該障壁層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの超格子層１０５を含み且つ障壁層１０４を露出するゲートリセス１０８を有するキャップ層１０７と、該キャップ層１０７の上にゲートリセス１０８を挟んで対向するように形成されたソース電極１１０及びドレイン電極１１１とを有している。 - 特許庁

A gate recess 5a is formed, by laminating a semiconductor layer 11 consisting of a III-V group nitride semiconductor on a substrate 1 and by etching the semiconductor layer 11.例文帳に追加

基板１の上にIII-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層１１を積層し、半導体層１１をエッチングすることによりゲートリセス５ａを形成する。 - 特許庁