heavy dopingとは 意味・読み方・使い方

A heavy doping portion of the doped layer is partially or fully removed.例文帳に追加

ドープ層のヘビードープ部分を一部または全て除去する。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal and a method of manufacturing a semiconductor device, which are capable of heavy p-type doping using a material gas which does not corrode-cambers.例文帳に追加

チャンバを腐食させない原料ガスを用いて、高濃度ｐ型ドーピングを可能とする結晶成長方法および半導体装置生成方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a thin film EL element, and its manufacturing method, which can be manufactured in a simple process of mixing heavy metal in an organic light emitting layer as against a heavy metal complex doping element, has a high luminous efficiency, is of small concentration quenching and can be used stably for a long period of time.例文帳に追加

重金属錯体ドープ素子に比べて、有機発光層に重金属を混合するという単純な工程で製造でき、高い発光効率を有し、濃度消光が小さく、長期間にわたって安定して使用できる薄膜ＥＬ素子ならびにその製造方法を提供する - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁