heterostructure deviceとは 意味・読み方・使い方

BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE HAVING INCORPORATED WAVEGUIDE GRATING PRODUCED BY SINGLE STEP MOCVD例文帳に追加

単一のステップＭＯＣＶＤによって製造される導波格子を組み込んだ埋め込みヘテロ構造デバイス - 特許庁

The semiconductor laser device 100 is provided with a multiple quantum well-separated and entrapped heterostructure.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ構造を有している。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for a semiconductor device, which has InAlN/GaN heterostructure and excellent ohmic contact characteristics.例文帳に追加

ＩｎＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造を有し、かつオーミックコンタクト特性の優れた半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor material, a method, and a device and, more specifically, a nonpolar (Al, B, In, Ga) N quantum well, heterostructure material, and a device.例文帳に追加

半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

To allow a semiconductor device having a heterostructure and made of a group III-V compound semiconductor to stably perform normally-off operation.例文帳に追加

ヘテロ構造を備えているとともにIII-Ｖ族化合物半導体で構成される半導体装置において、安定的なノーマリオフ動作を実現する。 - 特許庁

To provide a device having a nitride-based heterostructure, wherein epitaxy with planarity at a single molecular layer level can be easily obtained, and its manufacturing method.例文帳に追加

一分子層レベルでの平坦性を有するエピタキシの実現が容易にできる窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁