horizontal growthとは 意味・読み方・使い方

At the time, since horizontal direction growth is fast, the surface of a groove upper part is finally flattened.例文帳に追加

この時横方向成長が速いために、最終的に溝上部の表面が平坦化する。 - 特許庁

To increase the degree of integration of a semiconductor device by restricting the horizontal growth of an epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル層の横方向成長を制限し、集積度の向上を図る。 - 特許庁

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube.例文帳に追加

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。 - 特許庁

Horizontal members 6 corresponding to horizontal skeletons of the bamboo blind are bound to vertical members of strings or yarns in prescribed intervals by intersection-fixing members 7 to provide the supply material for assisting growth of morning glory having a structure similar to the bamboo blind in which intervals of vertical and horizontal members are made nondense.例文帳に追加

そして、紐や糸状の縦部材に、簾の横骨に相当する横部材６を所定間隔で、交点固定部材７によって結束して、縦と横の部材の間隔を疎にした、簾に似た構造の朝顔の生育補助用品を得る。 - 特許庁

To prevent sticking phenomenon between a wafer and a susceptor in the horizontal disk-shape susceptor for horizontally holding the wafer for conducting epitaxial growth.例文帳に追加

ウエーハを水平に保持してエピタキシャル成長を行う水平円盤型サセプタでのウエーハとサセプタのスティッキング現象を防止する。 - 特許庁

A vapor phase epitaxial growth apparatus includes a susceptor 13 rotating in a horizontal plane in a reaction pipe 10.例文帳に追加

気相エピタキシャル成長装置は、反応管１０内に水平面内で回転するサセプタ１３を有する。 - 特許庁

To provide a liquid-phase epitaxial growth apparatus for the horizontal type reactor having shortened soaking length and high space efficiency.例文帳に追加

均熱長が短くスペース効率が高い横型反応炉用の液相エピタキシャル成長装置を提供する。 - 特許庁

An n- drift layer 21 is formed on the surface of the channel area 15 by epitaxial growth in the horizontal direction (ELO).例文帳に追加

横方向（ＥＬＯ）エピタキシャル成長によりチャネル領域１５の表面からｎ^−ドリフト層２１を形成する。 - 特許庁