interstitial ionとは 意味・読み方・使い方

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.例文帳に追加

不純物イオン注入領域近傍にシリコン（Ｓｉ）空孔を生成させ、Ｓｉ格子間原子を減少させる。 - 特許庁

The electrolyte membrane layer 110 is a thin membrane formed with a perovskite type proton conductor compound, and has proton conductivity in a state conducting an oxygen atom to deficiency of interstitial oxygen and oxygen ion conductivity.例文帳に追加

電解質膜層１１０は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜された薄膜であり、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でのプロトン伝導性と、酸素イオン伝導性とを併せ持つ。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a silicon substrate by forming holes by a thin nitride film having an oxide film surface nitrided without difficulty in processing nor deterioration in light collection efficiency as compared with conventional constitution and capturing interstitial Si atoms generated by ion injection into the holes.例文帳に追加

酸化膜表面が窒化された薄い窒化膜により、従来の構成に比べて加工の困難性もなく集光効率の悪化もなく、空孔を発生させ、イオン注入によって発生した格子間Ｓｉ原子を空孔に捕獲させることによりシリコン基板内のリーク電流を低減させる。 - 特許庁

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen.例文帳に追加

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。 - 特許庁