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ion pressure gradientとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオン圧力勾配
「ion pressure gradient」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
PRESSURE GRADIENT TYPE ION PLATING FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD例文帳に追加
圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 - 特許庁
The ion plating apparatus is provided with a pressure gradient type plasma gun, and an anode member.例文帳に追加
イオンプレーティング装置は、圧力勾配型のプラズマガンと、陽極部材とを備える。 - 特許庁
The ion plating method is pref. a method using a pressure gradient type DC discharge system as a plasma source.例文帳に追加
また前記イオンプレーティング法が、プラズマ源に圧力勾配型直流放電方式を用いた方法であることが好ましい。 - 特許庁
To generate a high-density plasma by suppressing the intrusion of impurities in making thin films of dielectric substances and semiconductors by an ion plating method which performs a pressure gradient type arc discharge.例文帳に追加
圧力勾配型アーク放電を行うイオンプレーティング法により誘電体や半導体の薄膜を作製する際に、不純物の混入を抑制できるようにし、高密度のプラズマの発生を可能にする。 - 特許庁
A transparent conductive film consists of a transparent conductive layer with a thickness of 10-500 nm formed by an ion plating method due to pressure gradient type discharge and the polythiophene type transparent conductive polymeric layer provided thereon.例文帳に追加
透明導電性フィルムの一面上に、透明導電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法により10〜500nmの厚さに形成した後、その透明導電層上にポリチオフェン系透明導電性高分子層を設けたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁
To provide a vacuum film deposition system and a vacuum film deposition method using a pressure gradient ion plating process capable of corresponding even to the case that an electrically insulating substance is film-deposited, capable of sufficiently stably depositing a film on a base material as an object, and also capable of obtaining a stably film-deposited base material.例文帳に追加
電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁
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「ion pressure gradient」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
To provide a vacuum-film deposition apparatus and a vacuum film deposition method each using a pressure-gradient type ion-plating process which are adaptive even to film-deposition of an electrically conductive insulating material, achieve fully stable film deposition and continuous film-deposition on a target base material and stably provide a film-deposited base material.例文帳に追加
電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁
As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加
透明フィルム基板の30℃における熱伝導率を1.5×10^-3[cal/cm・sec・K]以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したITO導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁
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nightward
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