junction reverse bias currentとは 意味・読み方・使い方

PN junction 12a exists in the selection transistor 12, as reverse bias is performed, a junction leak current i_L is made to flow.例文帳に追加

選択トランジスタ１２にはＰＮ接合１２ａが存在し、逆バイアスされていることから接合リーク電流ｉ_Ｌが流れる。 - 特許庁

Therefore, when a reverse bias is applied to the PN junction region, backward breakdown voltage does not change because current becomes hard to flow in an outer periphery of the pn junction region.例文帳に追加

従って、逆方向バイアスがＰＮ接合領域に印加されたとき、ＰＮ接合領域の外周部には電流が流れ難くなり、逆方向耐圧が変動することがない。 - 特許庁

Consequently, a junction leakage current can be suppressed when a reverse bias is applied via the interface level.例文帳に追加

丸め酸化膜を形成後、ＮＯ雰囲気中で８５０℃３０分程度のアニールを行う工程により、丸め酸化膜の界面準位がＮのドーピングによって低減されるため、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

With this constitution, and elongation of a depletion layer in a glass junction plane of the n-type substrate 1 can be reduced, when a reverse-bias voltage is applied and dangling bonds can be reduced, so that dielectric strength can be improved, and further, a leakage current can be reduced.例文帳に追加

これによって、逆バイアス印加時にｎ型基板１のガラス接合面の空乏層の伸びを減少させることで、ダングリングボンドの低減が可能となり、高耐圧でかつリーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

A junction between a base and collector of a vertical PNP transistor is used as a diode, and further a reverse bias voltage is applied to between a base and emitter of a parasitic PNP transistor of this PNP transistor, so that the diode in which a leak current is less and a breakdown strength is high is realized without increasing the manufacturing steps.例文帳に追加

縦型ＰＮＰトランジスタのベース・コレクタ間接合部をダイオードとして用い、また、このＰＮＰトランジスタの寄生ＰＮＰトランジスタのベース・エミッタ間に逆バイアス電圧を加えるようにして、リーク電流が少なく耐圧が高いダイオードを、製造工程を追加しなくても実現する。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁