junction reverse biasとは 意味・読み方・使い方

A pn junction surface is formed at two or more parts, a depletion layer is widely and uniformly spread at the time of reverse bias, and the withstand voltage is maintained high even when the ON voltage is lowered.例文帳に追加

２箇所以上にｐｎ接合面が形成され、逆バイアス時には空乏層が広く均一に広がり、オン電圧を低くしても耐圧を高く維持できる。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33.例文帳に追加

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 - 特許庁

Consequently, a junction leakage current can be suppressed when a reverse bias is applied via the interface level.例文帳に追加

丸め酸化膜を形成後、ＮＯ雰囲気中で８５０℃３０分程度のアニールを行う工程により、丸め酸化膜の界面準位がＮのドーピングによって低減されるため、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

By controlling the reverse bias across the PN junction between the source and the substrate, the pinch-off point of the inversion region is pulled back toward the source, thereby increasing the programming efficiency of the MOSFET.例文帳に追加

ソース−基板間のＰＮ接合の逆バイアスを制御することによって、反転領域のピンチオフ点がソースの方へ引き戻され、それによってＭＯＳＦＥＴのプログラミング効率を増大させる。 - 特許庁

Since the metallic film 30 covers the P-N junction of the zap diode, the zap diode is short-circuited to the metallic film 39 provided on the P-N junction and becomes a resistor when a puncture or destruction occurs due to an impressed reverse bias voltage higher than a breakdown voltage.例文帳に追加

この金属膜３９でザップダイオードのＰＮ接合部を覆うことにより、降伏電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって破裂破壊が起こっても、ザップダイオードがＰＮ接合部上の金属膜３９により短絡して抵抗となる構成とする。 - 特許庁

Thus, the adjacent interval of the practical p-type semiconductor regions 13 is made to become wide on a main surface and narrow at a certain depth, the Schottky junction part is widened, and the Schottky junction part is easily pinched off at reverse bias.例文帳に追加

それによって、実質的なｐ半導体領域１３の隣り合う間隔が、主面において広くなり、かつある深さにおいて狭くなるようにし、ショットキー接合部を広くするとともに、逆バイアス時にショットキー接合部が容易にピンチオフされるようにする。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁